- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录98015 > MJE13009BV (ON SEMICONDUCTOR) 12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MJE13009BV |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 63/65页 |
| 文件大小： | 517K |
| 代理商： | MJE13009BV |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页当前第63页第64页第65页
MJE13009
3–682
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
CIRCUIT
LOAD LINE DIAGRAMS
TIME DIAGRAMS
SERIES SWITCHING
REGULATOR
RINGING CHOKE
INVERTER
PUSH–PULL
INVERTER/CONVERTER
SOLENOID DRIVER
VCC
VO
VCC
VO
N
VCC
VO
VCC
SOLENOID
Collector
Current
Collector
Current
Collector
Current
Collector
Current
24 A
12 A
TC = 100°C
TURN–ON
TURN–OFF
VCC 400 V
700 V
COLLECTOR VOLTAGE
350 V
TURN–ON (FORWARD BIAS) SOA
ton ≤ 10 ms
DUTY CYCLE
≤ 10%
PD = 4000 W
TURN–OFF (REVERSE BIAS) SOA
1.5 V
≤ VBE(off) ≤ 9.0 V
DUTY CYCLE
≤ 10%
1
2
1
IC
VCE
VCC
TIME
t
24 A
TC = 100°C
12 A
TURN–OFF
TURN–ON
VCC
400 V 1
VCC + N(Vo)
350 V
PD = 4000 W 2
TURN–ON (FORWARD BIAS) SOA
TURN–ON ton ≤ 10 ms
TURN–ON DUTY CYCLE
≤ 10%
TURN–OFF (REVERSE BIAS) SOA
TURN–OFF 1.5 V
≤ VBE(off) ≤ 9.0 V
TURN–OFF DUTY CYCLE
≤ 10%
700 V 1
COLLECTOR VOLTAGE
24 A
12 A
TC = 100°C
TURN–OFF
TURN–ON
VCC 400 V 1
700 V 1
2 VCC
350 V
PD = 4000 W 2
TURN–ON (FORWARD BIAS) SOA
TURN–ON ton ≤ 10 ms
TURN–ON DUTY CYCLE
≤ 10%
TURN–OFF (REVERSE BIAS) SOA
TURN–OFF 1.5 V
≤ VBE(off) ≤ 9.0 V
TURN–OFF DUTY CYCLE
≤ 10%
24 A
12 A
TC = 100°C
TURN–OFF
TURN–ON
VCC 400 V 1
700 V 1
COLLECTOR VOLTAGE
TURN–OFF (REVERSE BIAS) SOA
TURN–OFF 1.5 V
≤ VBE(off) ≤ 9.0 V
TURN–OFF DUTY CYCLE
≤ 10%
350 V
PD = 4000 W 2
TURN–ON (FORWARD BIAS) SOA
TURN–ON ton ≤ 10 ms
TURN–ON DUTY CYCLE
≤ 10%
IC
VCE
VCC
t
VCC+
N(Vo)
LEAKAGE SPIKE
TIME
toff
ton
IC
VCE
ton
toff
t
VCC
2 VCC
IC
VCE
ton
toff
t
VCC
A
B
C
D
Table 2. Applications Examples of Switching Circuits
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE13009BG | 12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE1320DW | 2 A, 900 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE1320BV | 2 A, 900 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE1320BA | 2 A, 900 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE1320AN | 2 A, 900 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJE13009D | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| MJE13009DG-TA3-T | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| MJE13009DL-TA3-T | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| MJE13009F | 制造商:KEC 制造商全称:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR |
| MJE13009G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 12A 400V 100W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。