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参数资料
| 型号： | MRF8P20100HR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 17/22页 |
| 文件大小： | 1196K |
| 描述： | FET RF N-CH 2025MHZ 28V NI780H-4 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 2.03GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 400mA |
| 功率 - 输出： | 20W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780-4 |
| 供应商设备封装： | NI-780-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8P20100HR3 MRF8P20100HSR3
Figure 2. MRF8P20100HR3(HSR3) Test Circuit Component Layout
MRF8P20100
Rev. 1
C15
R2
VGSA
B1
C13
C3
R4
C7
C1
Z1
C2
C8
R5
C4
C14
R1
R3
B2
C20
VGSB
VDSB
C18
C6
C16
C10
C12
VDSA
C11
C9
C
P
C17
C5
C19
CUT OUT AREA
Table 5. MRF8P20100HR3(HSR3) Test Circuit Component Designations and Values
Part
Description
Part Number
Manufacturer
B1, B2
RF Ferrite Beads
MPZ2012S300AT000
TDK
C1, C2, C3, C4, C5, C6
15 pF Chip Capacitors
ATC600F150JT250XT
ATC
C7, C8
0.3 pF Chip Capacitors
ATC600F0R3BT250XT
ATC
C9, C10
1.2 pF Chip Capacitors
ATC600F1R2BT250XT
ATC
C11, C12
10 pF Chip Capacitors
ATC600F100JT250XT
ATC
C13, C14
4.7
μF, 50 V Chip Capacitors
C4532X5R1H475MT
TDK
C15, C16
10
μF, 50 V Chip Capacitors
C5750X7R1H106KT
TDK
C17, C18
22
μF, 50 V Chip Capacitors
C5750KF1H226ZT
TDK
C19, C20
220
μF, 63 V Electrolytic Capacitors
MCGPR63V227M10X21
Multicomp
R1
50
?, 4 W Chip Resistor
ATCCW12010T0050GBK
ATC
R2, R3
10 K?, 1/4 W Chip Resistors
CRCW120612R0FKEA
Vishay
R4, R5
12
?, 1/4 W Chip Resistors
CRCW120612R0FKEA
Vishay
Z1
1900 MHz Band 90°, 3 dB Chip Hybrid Coupler
1P503S
Anaren
PCB
0.020″,
εr
=3.5
RO4350B
Rogers
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B84299D1101E1 | FILTER POWER LINE 100A 250/440V |
| DPPM10D22K-F | CAP FILM 2200PF 1KVDC RADIAL |
| MIN02-002DC360J-F | CAP MICA 36PF 300V 5% SMD |
| MRF8S9100HSR3 | MOSFET RF N-CH 100W NI-780S |
| MRF8S9100HR5 | MOSFET RF N-CH 100W NI-780 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8P20100HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 100W NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20100HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 100W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20100HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 100W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20140WHR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20140WHR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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