- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21725 > MRF8P20100HR3 (Freescale Semiconductor)FET RF N-CH 2025MHZ 28V NI780H-4 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MRF8P20100HR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 2/22页 |
| 文件大小： | 1196K |
| 描述： | FET RF N-CH 2025MHZ 28V NI780H-4 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 2.03GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 400mA |
| 功率 - 输出： | 20W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780-4 |
| 供应商设备封装： | NI-780-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8P20100HR3 MRF8P20100HSR3
ALTERNATE CHARACTERIZATION ? 1880 MHz
Figure 14. MRF8P20100HR3(HSR3) Test Circuit Component Layout ? 1880 MHz
--
--
MRF8P20100
Rev. 2
CUT OUT AREA
C12
VGSA
VGSB
VDSB
VDSA
B1
C3
R1
C1
Z1
C2
R2
C4
C13
B2
C6
C15
C17
C19
C10
C11
C8
C7*
C9
C5
C14
C16
C18
*C7 and C8 are mounted vertically.
C8*
R3
C
P
Table 6. MRF8P20100HR3(HSR3) Test Circuit Component Designations and Values ? 1880 MHz
Part
Description
Part Number
Manufacturer
B1, B2
RF Ferrite Beads
MPZ2012S300AT000
TDK
C1, C2, C3, C4, C5, C6
12 pF Chip Capacitors
ATC600F120JT250XT
ATC
C7, C8
10 pF Chip Capacitors
ATC600F100JT250XT
ATC
C9, C10, C11
1.5 pF Chip Capacitors
ATC600F1R5BT250XT
ATC
C12, C13
4.7
μF, 50 V Chip Capacitors
C4532X5R1H475MT
TDK
C14, C15
10
μF, 50 V Chip Capacitors
C5750X7R1H106KT
TDK
C16, C17
22
μF, 50 V Chip Capacitors
C5750KF1H226ZT
TDK
C18, C19
220
μF, 63 V Electrolytic Capacitors
MCGPR63V227M10X21
Multicomp
R1, R2
12
?, 1/4 W Chip Resistors
CRCW120612R0FKEA
Vishay
R3
50
?, 4 W Chip Resistor
CW12010T0050GBK
ATC
Z1
1900 MHz Band 90°, 3 dB Chip Hybrid Coupler
1P503S
Anaren
PCB
0.020″,
εr
=3.5
RO4350B
Rogers
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B84299D1101E1 | FILTER POWER LINE 100A 250/440V |
| DPPM10D22K-F | CAP FILM 2200PF 1KVDC RADIAL |
| MIN02-002DC360J-F | CAP MICA 36PF 300V 5% SMD |
| MRF8S9100HSR3 | MOSFET RF N-CH 100W NI-780S |
| MRF8S9100HR5 | MOSFET RF N-CH 100W NI-780 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8P20100HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 100W NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20100HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 100W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20100HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 100W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20140WHR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20140WHR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。