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参数资料
| 型号： | MRF8P20100HR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 3/22页 |
| 文件大小： | 1196K |
| 描述： | FET RF N-CH 2025MHZ 28V NI780H-4 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 2.03GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 400mA |
| 功率 - 输出： | 20W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780-4 |
| 供应商设备封装： | NI-780-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF8P20100HR3 MRF8P20100HSR3
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS ? 1880 MHz
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
1880
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 15. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout
= 20 Watts Avg.
-- 2 5
-- 5
-- 1 0
-- 1 5
-- 2 0
13
17
VDD=28Vdc,Pout
=20W(Avg.),IDQA
= 400 mA, VGSB
=1.3Vdc
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
16.6
16.2
-- 3 8
46
44
42
40
-- 2 8
-- 3 0
-- 3 2
-- 3 4
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
15.8
15.4
15
on CCDF
14.6
14.2
13.8
13.4
1900 1920 1940 1960 1980 2000 2020 2040
38
-- 3 6
-- 3 0
PARC
PARC (dB)
-- 2 . 4
-- 2
-- 2 . 1
-- 2 . 2
-- 2 . 3
-- 2 . 5
ACPR (dBc)
Input Signal PAR =
9.9 dB @ 0.01%
Probability
1
Gps
ACPR
40
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 16. Single--Carrier W--CDMA Power Gain, Drain
Efficiency and ACPR versus Output Power
-- 1 0
-- 2 0
11
17
0
60
50
30
20
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
16
15
10 100
10
-- 6 0
ACPR (dBc)
1900 MHz
14
1880 MHz
13
12
0
-- 3 0
-- 4 0
-- 5 0
Figure 17. Broadband Frequency Response
0
18
f, FREQUENCY (MHz)
VDD
=28Vdc
3--15Pin
=0dBm
IDQA
= 400 mA
VGSB
=1.3Vdc
12
9
6
GAIN (dB)
15
Gain
IRL
-- 1 8
0
-- 3
-- 6
-- 9
-- 1 2
IRL (dB)
1920 MHz
ηD
3.84 MHz Channel Bandwidth, Input Signal
PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on
CCDF
1920 MHz
1900 MHz
1880 MHz
VDD=28Vdc,IDQA
= 400 mA, VGSB
=1.3Vdc
Single--Carrier W--CDMA
1800 1835 1870 1905 1940 1975 2010 2045 2080
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8P20100HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 100W NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20100HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 100W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20100HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 100W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20140WHR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20140WHR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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