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参数资料
| 型号： | MRF8P20100HR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 5/22页 |
| 文件大小： | 1196K |
| 描述： | FET RF N-CH 2025MHZ 28V NI780H-4 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 2.03GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 400mA |
| 功率 - 输出： | 20W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780-4 |
| 供应商设备封装： | NI-780-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF8P20100HR3 MRF8P20100HSR3
13
RF Device Data
Freescale Semiconductor
ALTERNATE CHARACTERIZATION ? GSM EDGE
Figure 20. MRF8P20100HR3(HSR3) Test Circuit Component Layout ? GSM EDGE
MRF8P20100
Rev. 0
CUT OUT AREA
VGSA
C1
Z1
VGSB
VDDA
VDDB
C2
C3
R2
C4
R1
C8
C7
C5
C6
R3
C24
C22
C21
C20
C19
C18
C17
C15
C16
Z2
C14
C13
C12
C11
C9
C10
C23
U
L
R4
Table 7. MRF8P20100HR3(HSR3) Test Circuit Component Designations and Values ? GSM EDGE
Part
Description
Part Number
Manufacturer
C1, C8
2.2
μF, 50 V Chip Capacitors
C3225X7R2A225KT
TDK
C2, C7
12 pF Chip Capacitors
ATC600F120JT250XT
ATC
C3, C6
2.7 pF Chip Capacitors
ATC600F2R7BT250XT
ATC
C4, C5, C11, C20
15 pF Chip Capacitors
ATC600F150JT250XT
ATC
C9, C22
10
μF, 50 V Chip Capacitors
C5750X7R1H106K
TDK
C10, C21
4.7
μF, 50 V Chip Capacitors
C4532X5R1H475M
TDK
C12, C19
0.3 pF Chip Capacitors
ATC600F0R3BT250XT
ATC
C13, C18
22 pF Chip Capacitors
ATC600F220JT250XT
ATC
C14, C17
0.6 pF Chip Capacitors
ATC600F0R6BT250XT
ATC
C15, C16
0.5 pF Chip Capacitors
ATC600F0R5BT250XT
ATC
C23, C24
220 pF, 63 V Electrolytic Capacitors
MCGPR63V227M10X21
Multicomp
R1
50
?, 4 W Chip Resistor
CW12010T0050GBK
ATC
R2, R3
12
?, 1/4 W Chip Resistors
CRCW120612R0FKEA
Vishay
R4
50
?, 80 W, Termination
SMT3725ALNF
EMC
Z1, Z2
1900 MHz Band 90°, 3 dB Chip Hybrid Couplers
XC1900E--03
Anaren
PCB
0.020″,
εr
=3.5
RO4350B
Rogers
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B84299D1101E1 | FILTER POWER LINE 100A 250/440V |
| DPPM10D22K-F | CAP FILM 2200PF 1KVDC RADIAL |
| MIN02-002DC360J-F | CAP MICA 36PF 300V 5% SMD |
| MRF8S9100HSR3 | MOSFET RF N-CH 100W NI-780S |
| MRF8S9100HR5 | MOSFET RF N-CH 100W NI-780 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8P20100HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 100W NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20100HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 100W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20100HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 100W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20140WHR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20140WHR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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