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参数资料
| 型号： | MRF8P20100HR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/22页 |
| 文件大小： | 1196K |
| 描述： | FET RF N-CH 2025MHZ 28V NI780H-4 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 2.03GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 400mA |
| 功率 - 输出： | 20W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780-4 |
| 供应商设备封装： | NI-780-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
16
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8P20100HR3 MRF8P20100HSR3
VDD
=28Vdc,IDQA
=IDQB
= 330 mA, Pout
=42WAvg.
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
1760
3.12 -- j7.74
4.39 -- j7.66
1780
3.13 -- j7.35
4.44 -- j7.38
1800
3.21 -- j7.12
4.50 -- j7.30
1820
3.20 -- j7.05
4.42 -- j7.31
1840
3.08 -- j6.98
4.26 -- j7.28
1860
2.95 -- j6.82
4.10 -- j7.15
1880
2.88 -- j6.57
4.00 -- j6.92
1900
2.87 -- j6.21
3.95 -- j6.62
1920
2.89 -- j5.85
3.94 -- j6.36
Note: Measured with Lower side open.
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured from
drain to ground.
Figure 28. Series Equivalent Source and Load Impedance ? Upper Side ? GSM EDGE
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
VDD
=28Vdc,IDQA
=IDQB
= 330 Vdc, Pout
=42WAvg.
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
1760
3.72 -- j7.89
3.55 -- j5.43
1780
3.77 -- j7.60
3.62 -- j5.09
1800
3.82 -- j7.48
3.76 -- j4.85
1820
3.72 -- j7.46
3.87 -- j4.75
1840
3.55 -- j7.37
3.90 -- j4.66
1860
3.39 -- j7.16
3.92 -- j4.52
1880
3.29 -- j6.85
3.96 -- j4.31
1900
3.24 -- j6.48
4.03 -- j4.02
1920
3.22 -- j6.17
4.13 -- j3.71
Note: Measured with Upper side open.
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured from
drain to ground.
Figure 29. Series Equivalent Source and Load Impedance ? Lower Side ? GSM EDGE
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| MRF8P20100HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 100W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20100HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 100W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20140WHR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20140WHR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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