- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21725 > MRF8P20100HR3 (Freescale Semiconductor)FET RF N-CH 2025MHZ 28V NI780H-4 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MRF8P20100HR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 6/22页 |
| 文件大小： | 1196K |
| 描述： | FET RF N-CH 2025MHZ 28V NI780H-4 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 2.03GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 400mA |
| 功率 - 输出： | 20W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780-4 |
| 供应商设备封装： | NI-780-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
14
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8P20100HR3 MRF8P20100HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS ? GSM EDGE
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
1760
IRL
Gps
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 21. Power Gain, Input Return Loss and Drain
Efficiency versus Frequency @ Pout
= 42 Watts Avg.
-- 2 6
-- 1 8
-- 2 0
-- 2 2
-- 2 4
14
18
17.6
17.2
1
40
39
38
37
3.5
3
2.5
2
G
ps
, POWER GAIN (dB)
16.8
16.4
16
15.6
15.2
14.8
14.4
1780 1800 1820 1840 1860 1880 1900 1920
36
1.5
-- 2 8
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
300
12
18
0
60
VDD
=28Vdc
IDQA
=IDQB
= 330 mA
10
1
15
14
13
30
20
10
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 22. Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
Gps
17
16
100
50
40
VDD=28Vdc,Pout
=42W(Avg.)
IDQA
=IDQB
= 330 mA
EDGE Modulation
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
1805 MHz
1840 MHz
1880 MHz
1805 MHz
1840 MHz
1880 MHz
Figure 23. EVM versus Frequency
f, FREQUENCY (MHz)
Pout=53WAvg.
35 W Avg.
17 W Avg.
EVM, ERROR VECTOR MAGNITUDE (% rms)
1880
0
6
1780
3
1
1860
1840
1820
1800
4
2
5
VDD
=28Vdc
IDQA
=IDQB
= 330 mA
EDGE Modulation
-- 7 0
-- 3 5
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
-- 4 0
-- 4 5
-- 5 0
-- 6 0
20
Figure 24. Spectral Regrowth at 400 kHz
versus Output Power
SPECTRAL REGROWTH @ 400 kHz (dBc)
40 12060 80 100
-- 5 5
-- 6 5
VDD
=28Vdc
IDQA
=IDQB
= 330 mA
EDGE Modulation
1805 MHz
1880 MHz
1840 MHz
EVM, ERROR VECTOR
MAGNITUDE (% rms)
EVM
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B84299D1101E1 | FILTER POWER LINE 100A 250/440V |
| DPPM10D22K-F | CAP FILM 2200PF 1KVDC RADIAL |
| MIN02-002DC360J-F | CAP MICA 36PF 300V 5% SMD |
| MRF8S9100HSR3 | MOSFET RF N-CH 100W NI-780S |
| MRF8S9100HR5 | MOSFET RF N-CH 100W NI-780 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8P20100HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 100W NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20100HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 100W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20100HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 100W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20140WHR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20140WHR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。