- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录296642 > MT46H128M32LFCM-5AT:A 128M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MT46H128M32LFCM-5AT:A |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90 |
| 封装： | 10 X 13 MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-90 |
| 文件页数： | 10/106页 |
| 文件大小： | 3431K |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页当前第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页
Ball Assignments
Figure 4: 60-Ball VFBGA – Top View, x16 only
1
2
3
4
6
7
8
9
5
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
VSSQ
DQ14
DQ12
DQ10
DQ8
NC
CK#
A12
A8
A5
VSS
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VSS
CKE
A9
A6
VSS
DQ15
DQ13
DQ11
DQ9
UDQS
UDM
CK
A11
A7
A4
VDDQ
DQ1
DQ3
DQ5
DQ7
A13
WE#
CS#
A10/AP
A2
DQ0
DQ2
DQ4
DQ6
LDQS
LDM
CAS#
BA0
A0
A3
VDD
VSSQ
VDDQ
VDD
RAS#
BA1
A1
VDD
TEST1
Notes: 1. D9 is a test pin that must be tied to VSS or VSSQ in normal operations.
2. Unused address pins become RFU.
2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR SDRAM
Ball Assignments
PDF: 09005aef83a73286
2gb_ddr_mobile_sdram_t69m.pdf - Rev. M 11/10 EN
11
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
2009 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT46H128M32LFCM-5IT:A | 128M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90 |
| MT46V128M4FN-75E:C | 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA60 |
| MT46V128M4P-75L:C | 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| MT46V128M4P-75ZLIT:C | 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| MT46V64M4TG-75E | 64M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MT46H16M16 | 制造商:MICRON 制造商全称:Micron Technology 功能描述:Mobile Double Data Rate (DDR) SDRAM |
| MT46H16M16LF | 制造商:MICRON 制造商全称:Micron Technology 功能描述:Mobile Double Data Rate (DDR) SDRAM |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。