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参数资料
| 型号： | MT46H128M32LFCM-5AT:A |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90 |
| 封装： | 10 X 13 MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-90 |
| 文件页数： | 89/106页 |
| 文件大小： | 3431K |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页当前第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页
Figure 43: WRITE Burst
DQS
tDQSS (MAX)
tDQSS (NOM)
tDQSS (MIN)
tDQSS
DM
DQ3
CK
CK#
Command
WRITE1,2
NOP
Address
Bank a,
Col b
NOP
T0
T1
T2
T3
T2n
DQS
DM
DQ3
DQS
DM
DQ3
DIN
b
Don’t Care
Transitioning Data
DIN
b+1
DIN
b+2
DIN
b+3
DIN
b
DIN
b+1
DIN
b+2
DIN
b+3
DIN
b
DIN
b+1
DIN
b+2
DIN
b+3
tDQSS
Notes: 1. An uninterrupted burst of 4 is shown.
2. A10 is LOW with the WRITE command (auto precharge is disabled).
3. DINb = data-in for column b.
2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR SDRAM
WRITE Operation
PDF: 09005aef83a73286
2gb_ddr_mobile_sdram_t69m.pdf - Rev. M 11/10 EN
83
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT46H128M32LFCM-5IT:A | 128M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90 |
| MT46V128M4FN-75E:C | 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA60 |
| MT46V128M4P-75L:C | 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| MT46V128M4P-75ZLIT:C | 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| MT46V64M4TG-75E | 64M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MT46H16M16 | 制造商:MICRON 制造商全称:Micron Technology 功能描述:Mobile Double Data Rate (DDR) SDRAM |
| MT46H16M16LF | 制造商:MICRON 制造商全称:Micron Technology 功能描述:Mobile Double Data Rate (DDR) SDRAM |
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