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参数资料
| 型号： | MT46V2M32V1 |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
| 中文描述： | 双倍数据速率的DDR SDRAM内存 |
| 文件页数： | 33/65页 |
| 文件大小： | 2360K |
| 代理商： | MT46V2M32V1 |
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33
64Mb: x32 DDR SDRAM
2M32DDR-07.p65
–
Rev. 12/01
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2001, Micron Technology, Inc.
64Mb: x32
DDR SDRAM
Figure 23
WRITE to Precharge – Interrupting
t
DQSS
t
DQSS (NOM)
CK
CK#
COMMAND
WRITE
NOP
NOP
PRE
9
NOP
NOP
ADDRESS
Bank
a
,
Col
b
Bank,
(
a
or
all
)
NOP
T0
T1
T2
T3
T2n
T4
T5
NOTE
: 1. DI
b
= data-in for column
b
.
2. Subsequent element of data-in is applied in the programmed order following DI
b
.
3. An interrupted burst of 4 is shown; two data elements are written.
4.tWR is referenced from the first positive CK edge after the last data-in pair.
5. The PRECHARGE and WRITE commands are to the same bank.
6. A8 is LOW with the WRITE command (auto precharge is disabled).
7. DQS is required at T2 and T2n (nominal case) to register DM.
8. If the burst of 8 was used, DM would be required at T3 and T3n and not at T4 and T4n because the PRECHARGE
command would mask the last two data elements.
9. PRE = PRECHARGE command.
T1n
T6
t
WR
t
RP
DQ
DQS
DM
DI
b
t
DQSS
t
DQSS (MIN)
DQ
DQS
DM
DI
b
t
DQSS
t
DQSS (MAX)
DQ
DQS
DM
DI
b
DON
’
T CARE
TRANSITIONING DATA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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