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参数资料
| 型号： | MT46V32M16P-6T |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封装： | 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-66 |
| 文件页数： | 15/82页 |
| 文件大小： | 2855K |
| 代理商： | MT46V32M16P-6T |
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512Mb: x4, x8, x16
DDR SDRAM
09005aef80a1d9e7
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
512MBDDRx4x8x16_2.fm - Rev. H 7/04 EN
22
2000 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Figure 13: READ Burst
NOTE:
1. DO n = data-out from column n.
2. Burst length = 4.
3. Three subsequent elements of data-out appear in the programmed order following DO n.
4. Shown with nominal tAC, tDQSCK, and tDQSQ.
CK
CK#
COMMAND
READ
NOP
ADDRESS
Bank a,
Col n
READ
NOP
Bank a,
Col n
CL = 2
CK
CK#
COMMAND
ADDRESS
DQ
DQS
CL = 2.5
DQ
DQS
DO
n
DO
n
T0
T1
T2
T3
T2n
T3n
T4
T5
T0
T1
T2
T3
T2n
T3n
T4
T5
DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
READ
NOP
Bank a,
Col n
CK
CK#
COMMAND
ADDRESS
DQ
DQS
CL = 3
DO
n
T0
T1
T2
T3
T4n
T3n
T4
T5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT28F644W18FE-705KTET | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PBGA56 |
| MPAT-122128-1003MS | 12200 MHz - 12750 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR, 2.2 dB INSERTION LOSS-MAX |
| MPAT-122128-10101MS | 12200 MHz - 12750 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR, 2.2 dB INSERTION LOSS-MAX |
| MPAT-122128-10103FS | 12200 MHz - 12750 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR, 2.2 dB INSERTION LOSS-MAX |
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