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参数资料
| 型号： | MT46V32M16P-6T |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封装： | 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-66 |
| 文件页数： | 28/82页 |
| 文件大小： | 2855K |
| 代理商： | MT46V32M16P-6T |
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512Mb: x4, x8, x16
DDR SDRAM
09005aef80a1d9e7
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
512MBDDRx4x8x16_2.fm - Rev. H 7/04 EN
34
2000 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Figure 25: WRITE to READ – Uninterrupting
NOTE:
1. DI b = data-in for column b, DO n = data-out for column n.
2. Three subsequent elements of data-in are applied in the programmed order following DI b.
3. An uninterrupted burst of 4 is shown.
4. tWTR is referenced from the first positive CK edge after the last data-in pair.
5. The READ and WRITE commands are to same device. However, the READ and WRITE commands may be to different
devices, in which case tWTR is not required and the READ command could be applied earlier.
6. A10 is LOW with the WRITE command (auto precharge is disabled).
tDQSS (NOM)
CK
CK#
COMMAND
WRITE
NOP
READ
NOP
ADDRESS
Bank a,
Col b
Bank a,
Col n
NOP
T0
T1
T2
T3
T2n
T4
T5
T1n
T6
T6n
tWTR
CL = 2
DQ
DQS
DM
DI
b
DO
n
tDQSS
tDQSS (MIN)
CL = 2
DQ
DQS
DM
DI
b
DO
n
tDQSS
tDQSS (MAX)
CL = 2
DQ
DQS
DM
DI
b
DO
n
tDQSS
DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
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