参数资料
型号: MT46V32M16P-6T
元件分类: DRAM
英文描述: 32M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66
封装: 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-66
文件页数: 3/82页
文件大小: 2855K
代理商: MT46V32M16P-6T
512Mb: x4, x8, x16
DDR SDRAM
09005aef80a1d9e7
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
512MBDDRx4x8x16_2.fm - Rev. H 7/04 EN
11
2000 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Figure 6: Ball Assignment (Top View) 60-Ball FBGA
VSSQ
DQ14
DQ12
DQ10
DQ8
VREF
DQ15
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VSS
CK
A12
A11
A8
A6
A4
VSS
DQ13
DQ11
DQ9
UDQS
UDM
CK#
CKE
A9
A7
A5
VSS
VDD
DQ2
DQ4
DQ6
LDQS
LDM
WE#
RAS#
BA1
A0
A2
VDD
DQ0
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VDD
CAS#
CS#
BA0
A10
A1
A3
VDDQ
DQ1
DQ3
DQ5
DQ7
NC
x16 (Top View)
VSSQ
NC
VREF
NF
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VSS
CK
A12
A11
A8
A6
A4
VSS
DQ3
NF
DQ2
DQS
DM
CK#
CKE
A9
A7
A5
VSS
VDD
DQ0
NF
DQ1
NC
WE#
RAS#
BA1
A0
A2
VDD
NF
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VDD
CAS#
CS#
BA0
A10
A1
A3
VDDQ
NC
x4 (Top View)
VSSQ
NC
VREF
DQ7
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VSS
CK
A12
A11
A8
A6
A4
VSS
DQ6
DQ5
DQ4
DQS
DM
CK#
CKE
A9
A7
A5
VSS
VDD
DQ1
DQ2
DQ3
NC
WE#
RAS#
BA1
A0
A2
VDD
DQ0
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VDD
CAS#
CS#
BA0
A10
A1
A3
VDDQ
NC
x8 (Top View)
A
12
3
4
5
6
7
8
9
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
A
12
3
4
5
6
7
8
9
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
A
12
3
4
5
6
7
8
9
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
相关PDF资料
PDF描述
MT28F644W18FE-705KTET 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PBGA56
MPAT-122128-1003MS 12200 MHz - 12750 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR, 2.2 dB INSERTION LOSS-MAX
MPAT-122128-10101MS 12200 MHz - 12750 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR, 2.2 dB INSERTION LOSS-MAX
MPAT-122128-10103FS 12200 MHz - 12750 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR, 2.2 dB INSERTION LOSS-MAX
MPAT-122128-10103MS 12200 MHz - 12750 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR, 2.2 dB INSERTION LOSS-MAX
相关代理商/技术参数
参数描述