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参数资料
| 型号： | MT46V32M16P-6T |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封装： | 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-66 |
| 文件页数： | 27/82页 |
| 文件大小： | 2855K |
| 代理商： | MT46V32M16P-6T |
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512Mb: x4, x8, x16
DDR SDRAM
09005aef80a1d9e7
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
512MBDDRx4x8x16_2.fm - Rev. H 7/04 EN
33
2000 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Figure 24: Random WRITE Cycles
NOTE:
1. DI b, etc. = data-in for column b, etc.
2. b', etc. = the next data-in following DI b, etc., according to the programmed burst order.
3. Programmed burst length = 2, 4, or 8 in cases shown.
4. Each WRITE command may be to any bank.
tDQSS (NOM)
CK
CK#
COMMAND
WRITE
NOP
ADDRESS
Bank,
Col b
Bank,
Col x
Bank,
Col n
Bank,
Col g
WRITE
Bank,
Col a
T0
T1
T2
T3
T2n
T4
T5
T4n
T1n
T3n
T5n
DQ
DQS
DM
DI
b
DI
b'
DI
x
DI
x'
DI
n
DI
n'
DI
a
DI
a'
DI
g
DI
g'
DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT28F644W18FE-705KTET | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PBGA56 |
| MPAT-122128-1003MS | 12200 MHz - 12750 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR, 2.2 dB INSERTION LOSS-MAX |
| MPAT-122128-10101MS | 12200 MHz - 12750 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR, 2.2 dB INSERTION LOSS-MAX |
| MPAT-122128-10103FS | 12200 MHz - 12750 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR, 2.2 dB INSERTION LOSS-MAX |
| MPAT-122128-10103MS | 12200 MHz - 12750 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR, 2.2 dB INSERTION LOSS-MAX |
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