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参数资料
| 型号： | MT46V32M16P-6T |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封装： | 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-66 |
| 文件页数： | 71/82页 |
| 文件大小： | 2855K |
| 代理商： | MT46V32M16P-6T |
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512Mb: x4, x8, x16
DDR SDRAM
09005aef80a1d9e7
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
512MBDDRx4x8x16_2.fm - Rev. H 7/04 EN
73
2000 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Figure 46: Power-Down Mode
NOTE:
1. Once initialized, VREF must always be powered with in specified range.
2. If this command is a PRECHARGE (or if the device is already in the idle state), then the power-down mode shown is pre-
charge power-down. If this command is an ACTIVE (or if at least one row is already active), then the power-down mode
shown is active power-down.
3. No column accesses are allowed to be in progress at the time power-down is entered.
CK
CK#
COMMAND
VALID2
NOP
ADDR
CKE
DQ
DM
DQS
VALID
tCK
tCH
tCL
tIS
tIH
tIS
tIH
tIS
Enter 3
Power-Down
Mode
Exit
Power-Down
Mode
tREFC
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
T0
T1
Ta0
Ta1
Ta2
T2
NOP
DON’T CARE
(
)
(
)
(
)
(
)
VALID
1
-5B
-6/-6T
-75E/75Z
-75
SYMBOL MIN MAX MIN MAX MIN MAX MIN MAX UNITS
tCH
0.45 0.55 0.45 0.55 0.45 0.55 0.45 0.55
tCK
tCL
0.45 0.55 0.45 0.55 0.45 0.55 0.45 0.55
tCK
tCK (3)
5
7,5
NANANANA
NA
ns
tCK (2.5)
6
13
6
13
7.5
13
7.5
13
ns
tCK (2)
7.5
13
7.5
13
7.5
13
10
13
ns
tIH
F
.75
.90
ns
tIS
F
.75
.90
ns
tIH
S
.75
0.8
1
ns
tIS
S
.75
0.8
1
ns
-5B
-6/-6T
-75E/75Z
-75
SYMBOL MIN MAX MIN MAX MIN MAX MIN MAX UNITS
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PDF描述 |
|---|---|
| MT28F644W18FE-705KTET | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PBGA56 |
| MPAT-122128-1003MS | 12200 MHz - 12750 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR, 2.2 dB INSERTION LOSS-MAX |
| MPAT-122128-10101MS | 12200 MHz - 12750 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR, 2.2 dB INSERTION LOSS-MAX |
| MPAT-122128-10103FS | 12200 MHz - 12750 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR, 2.2 dB INSERTION LOSS-MAX |
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