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参数资料
| 型号： | MT46V32M16P-6T |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封装： | 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-66 |
| 文件页数： | 25/82页 |
| 文件大小： | 2855K |
| 代理商： | MT46V32M16P-6T |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页当前第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页
512Mb: x4, x8, x16
DDR SDRAM
09005aef80a1d9e7
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
512MBDDRx4x8x16_2.fm - Rev. H 7/04 EN
31
2000 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Figure 22: Consecutive WRITE to WRITE
NOTE:
1. DI b, etc. = data-in for column b, etc.
2. Three subsequent elements of data-in are applied in the programmed order following DI b.
3. Three subsequent elements of data-in are applied in the programmed order following DI n.
4. An uninterrupted burst of 4 is shown.
5. Each WRITE command may be to any bank.
CK
CK#
COMMAND
WRITE
NOP
WRITE
NOP
ADDRESS
Bank,
Col b
NOP
Bank,
Col n
T0
T1
T2
T3
T2n
T4
T5
T4n
T3n
T1n
DQ
DQS
DM
DI
n
DI
b
DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
tDQSS
tDQSS (NOM)
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PDF描述 |
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| MT28F644W18FE-705KTET | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PBGA56 |
| MPAT-122128-1003MS | 12200 MHz - 12750 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR, 2.2 dB INSERTION LOSS-MAX |
| MPAT-122128-10101MS | 12200 MHz - 12750 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR, 2.2 dB INSERTION LOSS-MAX |
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