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参数资料
| 型号： | MT46V32M16P-6T |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封装： | 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-66 |
| 文件页数： | 56/82页 |
| 文件大小： | 2855K |
| 代理商： | MT46V32M16P-6T |
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512Mb: x4, x8, x16
DDR SDRAM
09005aef80a1d9e7
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
512MBDDRx4x8x16_2.fm - Rev. H 7/04 EN
6
2000 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Figure 3: Functional Block Diagram 128 Meg x 4
13
RAS#
CAS#
ROW-
ADDRESS
MUX
CK
CS#
WE#
CK#
CONTROL
LOGIC
COLUMN-
ADDRESS
COUNTER/
LATCH
MODE REGISTERS
12
COMMAND
DECODE
A0-A12,
BA0, BA1
CKE
13
ADDRESS
REGISTER
15
2048
(x8)
16384
I/O GATING
DM MASK LOGIC
COLUMN
DECODER
BANK0
MEMORY
ARRAY
(8,192 x 2,048 x 8)
BANK0
ROW-
ADDRESS
LATCH
&
DECODER
8192
SENSE AMPLIFIERS
BANK
CONTROL
LOGIC
15
BANK1
BANK2
BANK3
13
11
1
2
REFRESH
COUNTER
4
1
INPUT
REGISTERS
1
RCVRS
1
8
2
8
clk
out
DATA
DQS
MASK
DATA
CK
COL0
clk
in
DRVRS
DLL
MUX
DQS
GENERATOR
4
8
DQ0–
DQ3
DQS
DM
1
READ
LATCH
WRITE
FIFO
&
DRIVERS
COL0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT28F644W18FE-705KTET | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PBGA56 |
| MPAT-122128-1003MS | 12200 MHz - 12750 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR, 2.2 dB INSERTION LOSS-MAX |
| MPAT-122128-10101MS | 12200 MHz - 12750 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR, 2.2 dB INSERTION LOSS-MAX |
| MPAT-122128-10103FS | 12200 MHz - 12750 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR, 2.2 dB INSERTION LOSS-MAX |
| MPAT-122128-10103MS | 12200 MHz - 12750 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR, 2.2 dB INSERTION LOSS-MAX |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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