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参数资料
| 型号： | MT49H8M32FM |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM |
| 中文描述： | 低延迟DRAM延迟DRAM |
| 文件页数： | 15/43页 |
| 文件大小： | 652K |
| 代理商： | MT49H8M32FM |
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15
256: x16, x32 RLDRAM
MT49H8M32_3.p65 – Rev. 3, Pub. 6/02
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2002, Micron Technology, Inc.
ADVANCE
256Mb: x16, x32
2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, 1.8V V
DD
Q, RLDRAM
TAP DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND OPERATING CONDITIONS
(+20°C
￡
T
J
￡
110°C, +2.4V
￡
V
DD
￡
+2.6V unless otherwise noted)
DESCRIPTION
Input High (Logic 1) Voltage
Input Low (Logic 0) Voltage
Input Leakage Current
Output Leakage Current
CONDITIONS
SYMBOL
V
IH
V
IL
IL
I
IL
O
MIN
MAX
V
DD
+ 0.3
V
REF
- 0.15
5.0
5.0
UNITS
V
V
μA
μA
NOTES
1, 2
1, 2
V
REF
+ 0.15
V
SS
Q - 0.3
-5.0
-5.0
0V
￡
V
IN
￡
V
DD
Output(s) disabled,
0V
￡
V
IN
￡
V
DD
Q
I
OLC
= 100μA
I
OLT
= 2mA
|I
OHC
| = 100μA
|I
OHT
| = 2mA
Output Low Voltage
Output Low Voltage
Output High Voltage
Output High Voltage
V
OL
1
V
OL
2
V
OH
1
V
OH
2
V
REF
- TBD
V
REF
- TBD
V
V
V
V
1
1
1
1
V
REF
+ TBD
V
REF
+ TBD
NOTE:
1. All voltages referenced to V
SS
(GND).
2. Overshoot:
Undershoot:
Power-up:
During normal operation, V
DD
Q must not exceed V
DD
. Control input signals (such as LD#, R/W#, etc.) may not have
pulse widths less than
t
KHKL (MIN) or operate at frequencies exceeding
f
KF (MAX).
V
IH
(
AC
)
￡
V
DD
+ 1.5V for t
￡
t
KHKH/2
V
IL
(
AC
) 3 -0.5V for t
￡
t
KHKH/2
V
IH
￡
+1.9 and V
DD
￡
1.7V and V
DD
Q
￡
1.4V for t
￡
200ms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT4C1M16E5DJ-6 | EDO DRAM |
| MT4LC1M16E5DJ-6S | EDO DRAM |
| MT4LC1M16E5 | EDO DRAM |
| MT4C4256 | 256K x 4 DRAM Standard Or Low Power, Extended Refresh(标准或低功率，扩展刷新，256K x 4动态RAM) |
| MT4C4256L | 256K x 4 DRAM Standard Or Low Power, Extended Refresh(标准或低功率，扩展刷新，256K x 4动态RAM) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MT49H8M32FM-33 ES | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144PIN UBGA - Trays |
| MT49H8M32FM-33 TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:8MX32 RLDRAM PLASTIC FBGA 1.8V COMMON I/O 8 BANKS 1.8V I/O - Tape and Reel |
| MT49H8M32FM-4 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144PIN UBGA - Trays |
| MT49H8M32FM-4 ES | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144PIN UBGA - Trays |
| MT49H8M32FM-5 ES | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144FBGA - Trays |
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