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参数资料
| 型号： | MT49H8M32FM |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM |
| 中文描述： | 低延迟DRAM延迟DRAM |
| 文件页数： | 33/43页 |
| 文件大小： | 652K |
| 代理商： | MT49H8M32FM |
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33
256: x16, x32 RLDRAM
MT49H8M32_3.p65 – Rev. 3, Pub. 6/02
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2002, Micron Technology, Inc.
ADVANCE
256Mb: x16, x32
2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, 1.8V V
DD
Q, RLDRAM
WRITE DATA MASK TIMING
(BL = 4, WL = 1)
NOTE:
1. Shaded WR Data is not written into the memory.
CK/CK#
DM0
CMD
DM1
WR0
WR1
WR3
WR2
DQ
D0b
D0a
D0d
D0c
D1b
D1a
D1d
D1c
D2b
D2a
D2d
D2c
D3b
D3a
D3d
D3c
WR DATA
D0b
D0a
D0d
D2b
D2a
D1d
D1c
tAS
tAH
D0c
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT4C1M16E5DJ-6 | EDO DRAM |
| MT4LC1M16E5DJ-6S | EDO DRAM |
| MT4LC1M16E5 | EDO DRAM |
| MT4C4256 | 256K x 4 DRAM Standard Or Low Power, Extended Refresh(标准或低功率，扩展刷新，256K x 4动态RAM) |
| MT4C4256L | 256K x 4 DRAM Standard Or Low Power, Extended Refresh(标准或低功率，扩展刷新，256K x 4动态RAM) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MT49H8M32FM-33 ES | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144PIN UBGA - Trays |
| MT49H8M32FM-33 TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:8MX32 RLDRAM PLASTIC FBGA 1.8V COMMON I/O 8 BANKS 1.8V I/O - Tape and Reel |
| MT49H8M32FM-4 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144PIN UBGA - Trays |
| MT49H8M32FM-4 ES | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144PIN UBGA - Trays |
| MT49H8M32FM-5 ES | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144FBGA - Trays |
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