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参数资料
| 型号： | MT49H8M32FM |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM |
| 中文描述： | 低延迟DRAM延迟DRAM |
| 文件页数： | 35/43页 |
| 文件大小： | 652K |
| 代理商： | MT49H8M32FM |
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35
256: x16, x32 RLDRAM
MT49H8M32_3.p65 – Rev. 3, Pub. 6/02
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2002, Micron Technology, Inc.
ADVANCE
256Mb: x16, x32
2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, 1.8V V
DD
Q, RLDRAM
WRITE/READ AND READ/WRITE TIMING, CYCLIC BANK ACCESS
(RL = 5, BL = 2, WL = 2)
CK/CK#
CMD
WB7
RB0
RB1
RB2
RB3
RB4
RB5
RB6
RB7
RB0
RB1
DQS
DQ
D5b
D5a
D6b
D6a
Q0b
Q0a
Q1b
Q1a
Q2a
Q3b
Q3a
D7b
D7a
tCKDQS
CMD
RB0
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
WB1
WB2
WB3
WB4
WB5
DQS
DQ
Q2b
Q2a
Q3b
Q3a
D1b
D1a
D3a
D2b
D2a
Q4b
Q4a
Q5b
Q5a
Q6b
Q6a
Q7b
Q7a
Q0b
Q0a
tCKDQS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT4C1M16E5DJ-6 | EDO DRAM |
| MT4LC1M16E5DJ-6S | EDO DRAM |
| MT4LC1M16E5 | EDO DRAM |
| MT4C4256 | 256K x 4 DRAM Standard Or Low Power, Extended Refresh(标准或低功率，扩展刷新，256K x 4动态RAM) |
| MT4C4256L | 256K x 4 DRAM Standard Or Low Power, Extended Refresh(标准或低功率，扩展刷新，256K x 4动态RAM) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MT49H8M32FM-33 ES | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144PIN UBGA - Trays |
| MT49H8M32FM-33 TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:8MX32 RLDRAM PLASTIC FBGA 1.8V COMMON I/O 8 BANKS 1.8V I/O - Tape and Reel |
| MT49H8M32FM-4 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144PIN UBGA - Trays |
| MT49H8M32FM-4 ES | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144PIN UBGA - Trays |
| MT49H8M32FM-5 ES | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144FBGA - Trays |
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