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参数资料
| 型号： | MT49H8M32FM |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM |
| 中文描述： | 低延迟DRAM延迟DRAM |
| 文件页数： | 3/43页 |
| 文件大小： | 652K |
| 代理商： | MT49H8M32FM |
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3
256: x16, x32 RLDRAM
MT49H8M32_3.p65 – Rev. 3, Pub. 6/02
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2002, Micron Technology, Inc.
ADVANCE
256Mb: x16, x32
2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, 1.8V V
DD
Q, RLDRAM
NOTE:
1. When the BL4 setting is used, A19 is a “Don’t Care.”
2. In the 16 Meg x 16 configuration, only DQS[1:0] and DQS#[1:0] are used.
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
16 Meg x 16
A0–A19, B0, B1, B2
Column Address
Buffer
Column Address
Counter
Refresh
Counter
Row Decoder
Memory Array
Bank 1
C
S
Row Address
Buffer
Row Decoder
Memory Array
Bank 0
C
S
Row Decoder
Memory Array
Bank 2
C
S
Row Decoder
Memory Array
Bank 3
C
S
Row Decoder
Memory Array
Bank 5
C
S
Row Decoder
Memory Array
Bank 4
C
S
Row Decoder
Memory Array
Bank 6
C
S
Row Decoder
Memory Array
Bank 7
C
C
C
A
W
C
R
D
D
V
R
S
Data Valid
DVLD
Data Read Strobe
DQS[1:0], DQS#[1:0]
Input Buffers
Output Buffers
Control Logic and Timing Generator
DQ0–DQ15
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT4C1M16E5DJ-6 | EDO DRAM |
| MT4LC1M16E5DJ-6S | EDO DRAM |
| MT4LC1M16E5 | EDO DRAM |
| MT4C4256 | 256K x 4 DRAM Standard Or Low Power, Extended Refresh(标准或低功率，扩展刷新，256K x 4动态RAM) |
| MT4C4256L | 256K x 4 DRAM Standard Or Low Power, Extended Refresh(标准或低功率，扩展刷新，256K x 4动态RAM) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MT49H8M32FM-33 ES | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144PIN UBGA - Trays |
| MT49H8M32FM-33 TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:8MX32 RLDRAM PLASTIC FBGA 1.8V COMMON I/O 8 BANKS 1.8V I/O - Tape and Reel |
| MT49H8M32FM-4 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144PIN UBGA - Trays |
| MT49H8M32FM-4 ES | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144PIN UBGA - Trays |
| MT49H8M32FM-5 ES | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144FBGA - Trays |
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