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参数资料
| 型号： | MT58L128V36P1B-4 |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 128K X 36 STANDARD SRAM, 2.3 ns, PBGA119 |
| 封装： | 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028BHA, BGA-119 |
| 文件页数： | 11/35页 |
| 文件大小： | 353K |
| 代理商： | MT58L128V36P1B-4 |
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19
4Mb: 256K x 18, 128K x 32/36 Pipelined, SCD SyncBurst SRAM
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
MT58L256L18P1_D.p65 – Rev. 10/01
2001, Micron Technology, Inc.
4Mb: 256K x 18, 128K x 32/36
PIPELINED, SCD SYNCBURST SRAM
BGA CAPACITANCE
DESCRIPTION
CONDITIONS
SYMBOL
TYP
MAX
UNITS
NOTES
Address/Control Input Capacitance
TA = 25°C; f = 1 MHz
CI
47
p F
1
Input/Output Capacitance (DQ)
VDD = 3.3V
CO
4.5
5.5
p F
1
Address Capacitance
CA
47
p F
1
Clock Capacitance
CCK
4.5
5.5
p F
1
NOTE: 1. This parameter is sampled.
2. Preliminary package data.
TQFP CAPACITANCE
DESCRIPTION
CONDITIONS
SYMBOL
TYP
MAX
UNITS
NOTES
Control Input Capacitance
TA = 25°C; f = 1 MHz;
CI
34
p F
1
Input/Output Capacitance (DQ)
VDD = 3.3V
CO
45
p F
1
Address Capacitance
CA
3
3.5
p F
1
Clock Capacitance
CCK
3
3.5
p F
1
FBGA CAPACITANCE
DESCRIPTION
CONDITIONS
SYMBOL
TYP
MAX
UNITS
NOTES
Address/Control Input Capacitance
CI
2.5
3.5
p F
1, 2
Output Capacitance (Q)
T
A = 25°C; f = 1 MHz
CO
4
5
p F
1, 2
Clock Capacitance
CCK
2.5
3.5
p F
1, 2
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PDF描述 |
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