参数资料
| 型号： | NCP5332ADWR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/30页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CTRLR BUCK 2PH STEPDWN 28SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 11/Feb/2009 |
| 标准包装： | 1 |
| 应用： | 控制器，高性能处理器 |
| 输入电压： | 4.5 V ~ 14 V |
| 输出数： | 2 |
| 输出电压： | 可调 |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 28-SOIC |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NCP5332ADWR2OSCT |
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NCP5332A
+12 V
D1
BAT54SLT1
L1 300 nH
ENABLE
D3
MBRA120LT3
10 ?
C1
1.0 μ F
D2
BAT54SLT1
1.0 μ F
C2
1.0 μ F
C Q1
0.1 μ F
+
C INPUT
Electrolytics
R3
R VFBK
2.0 k
C VFBK
470 pF
C AMP
2.2 nF
V FB
C CMP1
2.2 nF
C VCC
1.0 μ F
330
Q5
2N3904
Q1
Q2
L2 770 nH
D4
R DRP
6.98 k
SIG GND
COMP
V FB
R OSC
65 k
R OSC
V CCL
C VCCLx
1.0 μ F
18 V
1.0 μ F
1.0 k
C OUT
Electrolytics
R CSREF
36 k
CS REF
V DRP
Cs1
CS2
CS REF
V CCL1
GL1
GND1
GH1
BAV199LT1
C Q3
0.1 μ F
C CER
Ceramics
V CORE
C CSREF
0.01 μ F
SIG GND
PWRGD
V ID0
V ID1
V ID2
V ID3
V ID4
PWRGD
V ID0
V ID1
V ID2
V ID3
V ID4
V CCH1
LGND
SS
V CCL2
GL2
GND2
C VCCHx
1.0 μ F
1.0 μ F
BAV199LT1
Q3
L3 770 nH
I LIM
GH2
Q4
R LIM2
1.0 k
R LIM1
3.6 k
C REF
0.1 μ F
REF V CCH2
NCP5332A C SS
0.1 μ F
SIG GND
SIG GND
SIG GND
CS1
R CS1
71 k
SIG GND
1.0 k
SWNODE1
CS2
R CS2
SWNODE2
C CS1
0.01 μ F
C CS2
0.01 μ F
71 k
Recommended Components:
L1: Coiltronics P/N CTX15?14771 or T30?26 core with 3T of #16 AWG
L2: T50?52B with 5T of #16 AWG Bifilar
C INPUT : 3 × Sanyo Oscon 16SP270M (270 μ F, 16 V, 4.4 A RMS , 18 m ? )
C OUT : 10 × Rubycon 16MBZ1500M10x20 (1500 μ F, 16 V, 13 m ? )
or 8 × Sanyo Oscon 4SP820M (820 μ F, 4 V, 12 m ? )
C CERAMICS : 12 × Panasonic ECJ?3YB0J106K (10 μ F, 6.3 V)
Q1?Q4: ON Semiconductor NTB85N03T1
Figure 1. Application Diagram, 12 V Only to 1.6 V at 45 A, 220 kHz
http://onsemi.com
2
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