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参数资料
| 型号： | NT5SV8M16FT-75BI |
| 厂商： | NANYA TECHNOLOGY CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 MM, PLASTIC, TSSOP2-54 |
| 文件页数： | 31/65页 |
| 文件大小： | 739K |
| 代理商： | NT5SV8M16FT-75BI |
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NT5SV8M16FS / NT5SV8M16FT
128Mb Synchronous DRAM
REV 1.4
08/2009
37
NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
NANYA reserves the right to change products and specifications without notice.
AC Characteristics (V
DD = 3.3V ± 0.3V)
1. An initial pause of 200s, with DQM and CKE held high, is required after power-up. A Precharge All Banks command must
be given followed by a minimum of two Auto (CBR) Refresh cycles before or after the Mode Register Set operation.
2. The Transition time is measured between VIH and VIL (or between VIL and VIH)
3. In addition to meeting the transition rate specification, the clock and CKE must transit between VIH and VIL (or between VIL
and VIH) in a monotonic manner.
4. Load Circuit A: AC timing tests have VIL = 0.4 V and VIH = 2.4 V with the timing referenced to the 1.40V crossover point
5. Load Circuit A: AC measurements assume tT = 1.0ns.
AC Characteristics Diagrams
Output
Input
Clock
tOH
tSETUP
tHOLD
tAC
tLZ
1.4V
tT
Vtt = 1.4V
Output
50
50pF
Zo = 50
AC Output Load Circuit (A)
tCKH
tCKL
V
IL
V
IH
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PDF描述 |
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