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参数资料
| 型号： | NTF5P03T3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223 |
| 产品变化通告： | Specification Change MSL Updated 2/April/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 5.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 38nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 950pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.56W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTF5P03T3GOSDKR |
NTF5P03, NVF5P03
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
5
4
3
2
? 6 V
? 8 V
? 10 V
? 3.9 V
? 3.7 V
? 4.1 V
? 4.3 V
? 4.5 V
T J = 25 ° C
? 3.5 V
? 3.1 V
? 2.8 V
10
9
8
7
6
5
4
3
V DS ≥ ? 10 V
T J = 25 ° C
1
2
0
V GS = ? 2.7 V
1
0
T J = 100 ° C
T J = ? 55 ° C
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
2
2
2.5 3 3.5 4 4.5
5
0.200
? V DS, DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.200
? V GS, GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.175
0.150
0.125
I D = ? 5.2 A
T J = 25 ° C
0.180
0.160
0.140
0.120
T J = 25 ° C
V GS = ? 4.5 V
0.100
0.100
0.075
0.050
0.080
0.060
0.040
0.020
V GS = ? 10 V
0.025
3
4
5
6
7
8
9
10
0.000
1
2.5
4
5.5
7
8.5
10
1.65
? V GS, GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance versus
Gate ? to ? Source Voltage
1000
? I D, DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
1.55
1.45
1.35
1.25
1.15
1.05
0.95
0.85
0.75
0.65
I D = ? 5.2 A
V GS = ? 10 V
100
10
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
T J = 100 ° C
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
5
10 15 20 25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
? V DS, DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTF6P02T3G | MOSFET PWR P-CHAN 10A 20V SOT223 |
| NTGD3133PT1G | MOSFET P-CH DUAL 20V 21.5A 6TSOP |
| NTGD3147FT1G | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP |
| NTGD3148NT1G | MOSFET N-CH DUAL 20V 3.5A 6TSOP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTF5P03T3G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR |
| NTF6P02 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -10 Amps, -20 Volts |
| NTF6P02T3 | 功能描述:MOSFET -20V -6A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTF6P02T3/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NTF6P02T3 |
| NTF6P02T3_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -6.0 Amps, -20 Volts |
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