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参数资料
| 型号： | NTF5P03T3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223 |
| 产品变化通告： | Specification Change MSL Updated 2/April/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 5.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 38nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 950pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.56W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTF5P03T3GOSDKR |
NTF5P03, NVF5P03
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1
D = 0.5
0.2
0.1
NORMALIZED TO R q JA AT STEADY STATE (1 ″ PAD)
0.1
0.05
0.02
CHIP
0.0175 W
0.0710 W
0.2706 W
0.5779 W 0.7086 W
JUNCTION 0.0154 F
0.0854 F
0.3074 F
1.7891 F
107.55 F
0.01
0.01
SINGLE PULSE
AMBIENT
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
t, TIME (s)
Figure 13. FET Thermal Response
http://onsemi.com
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTF6P02T3G | MOSFET PWR P-CHAN 10A 20V SOT223 |
| NTGD3133PT1G | MOSFET P-CH DUAL 20V 21.5A 6TSOP |
| NTGD3147FT1G | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP |
| NTGD3148NT1G | MOSFET N-CH DUAL 20V 3.5A 6TSOP |
| NTGD3149CT1G | MOSFET COMPL 20V DUAL 6-TSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTF5P03T3G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR |
| NTF6P02 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -10 Amps, -20 Volts |
| NTF6P02T3 | 功能描述:MOSFET -20V -6A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTF6P02T3/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NTF6P02T3 |
| NTF6P02T3_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -6.0 Amps, -20 Volts |
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