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参数资料
| 型号： | NTF5P03T3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223 |
| 产品变化通告： | Specification Change MSL Updated 2/April/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 5.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 38nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 950pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.56W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTF5P03T3GOSDKR |
NTF5P03, NVF5P03
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1000
900
800
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
12.5
10
? V DS
Q T
25
20
700
600
500
C iss
7.5
? V GS
15
400
300
5.0
Q 1
Q 2
10
200
100
C oss
C rss
2.5
I D = ? 2 A
T J = 25 ° C
5
0
0
5
10 15 20 25
DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
30
0
0
10
20 30 40 50
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
0
60
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
1000
V DD = ? 15 V
I D = ? 4.0 A
V GS = ? 10 V
t d(off)
4.00
3.50
3.00
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
2.50
100
t f
t r
2.00
1.50
1.00
0.50
10
1
10
t d(on)
100
0.00
0.5
0.55 0.6 0.65 0.7 0.75 0.8 0.85 0.9 0.95 1
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
100
10
1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
dc
250
200
150
I D = ? 6 A
0.1
0.01
0.1
10 ms
1 ms
100 m s
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1
10 m s
10 100
100
50
0
25
50 75 100 125
150
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Mounted on 2”sq. FR4 board (1”sq. 2 oz. Cu 0.06” thick
single sided) with on die operating, 10 s max.
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
http://onsemi.com
5
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PDF描述 |
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