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参数资料
| 型号： | NTF6P02T3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET PWR P-CHAN 10A 20V SOT223 |
| 产品变化通告： | Reactivation Notice 08/Apr/2011 Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1200pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 8.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTF6P02T3GOSCT |
NTF6P02, NVF6P02
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
12
? 10 V
? 7.0 V
? 5.0 V
9
? 2.2 V
? 2.4 V
? 3.2 V
? 4.4 V
? 2.0 V
? 1.8 V
T J = 25 ° C
12
10
8
V DS ≥ ? 10 V
6
? 1.6 V
6
4
3
0
0
1
2
3
4
? 1.4 V
V GS = ? 1.2 V
5 6 7
8
9
10
2
0
0
T J = ? 55 ° C
T J = 25 ° C
0.5 1
T J = 100 ° C
1.5 2
2.5
3
0.2
? V DS, DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.08
? V GS, GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
T J = 25 ° C
0.15
0.1
I D = ? 6.0 A
T J = 25 ° C
0.07
0.06
0.05
0.04
V GS = ? 2.5 V
V GS = ? 4.5 V
0.05
0.03
0
0
1
2
3
4
5
6
0.02
2
4
6
8
10
12
14
? V GS, GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance versus
Gate ? to ? Source Voltage
? I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
1.6
1.4
I D = ? 6.0 A
V GS = ? 4.5 V
10,000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.2
1000
1.0
0.8
T J = 100 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
100
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
? V DS, DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
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