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参数资料
| 型号： | NTF6P02T3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET PWR P-CHAN 10A 20V SOT223 |
| 产品变化通告： | Reactivation Notice 08/Apr/2011 Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1200pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 8.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTF6P02T3GOSCT |
NTF6P02, NVF6P02
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1
D = 0.5
0.2
0.1
NORMALIZED TO R q JA AT STEADY STATE (1 ″ PAD)
0.1
0.05
0.02
CHIP
0.0175 W
0.0710 W
0.2706 W
0.5779 W 0.7086 W
JUNCTION 0.0154 F
0.0854 F
0.3074 F
1.7891 F
107.55 F
0.01
0.01
SINGLE PULSE
AMBIENT
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
t, TIME (s)
Figure 11. FET Thermal Response
http://onsemi.com
5
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