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参数资料
| 型号： | NTGD3149CT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET COMPL 20V DUAL 6-TSOP |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 08/Apr/2011 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.2A，2.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 3.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 387pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTGD3149C
TYPICAL CHARACTERISTICS (N ? CHANNEL)
600
550
500
450
400
350
300
250
200
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
Q1
Q2
QT
150
100
50
0
0
2.0
4.0
6.0
C oss
C rss
8.0
10
12
14
16
18
20
1.0
0.5
0
0
1.0
2.0
3.0
I D = 3.5 A
T J = 25 ° C
4.0
5.0
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Nch Capacitance Variation
3.5
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Nch Gate ? to ? Source Voltage vs.
Total Charge
V DD = 10 V
I D = 3.5 A
V GS = 4.5 V
t d(off)
3.0
2.5
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
2.0
10
t d(on)
t r
1.5
1.0
1.0
1.0
t f
10
100
0.5
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Nch Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
5
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Nch Diode Forward Voltage vs.
Current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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