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参数资料
| 型号： | NTGD3149CT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET COMPL 20V DUAL 6-TSOP |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 08/Apr/2011 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.2A，2.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 3.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 387pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTGD3149C
TYPICAL CHARACTERISTICS (P ? CHANNEL)
6.0
? 4.5 V
? 2.5 V
? 2.0 V
T J = 25 ° C
6.0
V DS ≥ ? 10 V
5.0
4.0
3.0
? 3.0 V
? 1.8 V
? 1.6 V
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
? 1.4 V
? 1.2 V
2.0
1.0
T J = ? 55 ° C
T J = 25 ° C
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
V GS = ? 1.0 V
2.5
3.0
0
0
0.5
1.0
T J = 125 ° C
1.5
2.0
2.5
0.38
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Pch On ? Region Characteristics
0.14
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 12. Pch Transfer Characteristics
0.34
0.30
0.26
0.22
I D = ? 2.7 A
T = 25 ° C
0.12
0.10
0.08
T J = 25 ° C
V GS = ? 2.5 V
V GS = ? 4.5 V
0.18
0.14
0.10
0.06
0.06
0.04
0.02
0.02
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
1.5
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. Pch On ? Resistance vs. Gate
Voltage
10,000
? I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 14. Pch On ? Resistance vs. Drain
Current and Gate Voltage
1.4
I D = ? 2.7 A
V GS = ? 4.5 V
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
1000
100
T J = 125 ° C
0.7
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
10
2.0
4.0
6.0
8.0
10
12
14
16
18
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 15. Pch On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
6
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 16. Pch Drain ? to ? Source Leakage
Current vs. Voltage
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