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参数资料
| 型号： | NTMD2C02R2SG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH COMPL 20V 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Wire Change 20/Aug/2008 Product Discontinuation 01/Oct/2008 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.2A，3.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 43 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1100pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMD2C02R2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ? continued (T A = 25 ° C unless otherwise noted) (Note 6)
Characteristic
Symbol
Polarity
Min
Typ
Max
Unit
SOURCE ? DRAIN DIODE CHARACTERISTICS (T C = 25 ° C)
Forward Voltage (Note 7)
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Stored Charge
(I S = 4.0 Adc, V GS = 0 Vdc)
(I S = 2.4 Adc, V GS = 0 Vdc)
(I F = I S ,
dI S /dt = 100 A/ m s)
V SD
t rr
t a
t b
Q RR
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
0.83
0.88
30
37
15
16
15
21
0.02
0.025
1.1
1.0
?
?
?
?
?
?
?
?
Vdc
ns
m C
6. Negative signs for P ? Channel device omitted for clarity.
7. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 m s, Duty Cycle ≤ 2%.
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
N ? Channel
P ? Channel
12
10
8
10 V
2.5 V
4.5 V
3.2 V
2.0 V
T J = 25 ° C
1.8 V
4
3
V GS = ? 2.1 V
V GS = ? 10 V
V GS = ? 4.5 V
V GS = ? 2.5 V
V GS = ? 1.9 V
T J = 25 ° C
6
4
2
1
V GS = ? 1.7 V
2
V GS = 1.5 V
V GS = ? 1.5 V
0
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
0
0
2
4
6
8
10
12
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
5
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. On ? Region Characteristics
10
8
V DS ≥ 10 V
4
3
V DS ≥ ? 10 V
6
4
100 ° C
25 ° C
2
T J = 25 ° C
2
T J = ? 55 ° C
1
T J = 100 ° C
T J = 55 ° C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
1
1.5
2
2.5
3
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. Transfer Characteristics
http://onsemi.com
3
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. Transfer Characteristics
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