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参数资料
| 型号： | NTMD2C02R2SG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH COMPL 20V 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Wire Change 20/Aug/2008 Product Discontinuation 01/Oct/2008 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.2A，3.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 43 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1100pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMD2C02R2
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
N ? Channel
P ? Channel
0.07
0.06
0.05
I D = 6.0 A
T J = 25 ° C
0.2
0.15
T J = 25 ° C
0.04
0.1
0.03
0.02
0.01
0.05
0
0
2 4 6 8
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
10
0
2
4 6
? V GS, GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
8
Figure 5. On ? Resistance versus
Gate ? To ? Source Voltage
Figure 6. On ? Resistance versus
Gate ? To ? Source Voltage
0.05
0.04
0.03
T J = 25 ° C
V GS = 2.5 V
4.5 V
0.12
0.1
0.08
T J = 25 ° C
V GS = ? 2.7 V
V GS = ? 4.5 V
0.02
0.06
0.01
1
3
5 7 9
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
11
13
0.04
1
1.5
2 2.5 3 3.5
? I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
4
4.5
Figure 7. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
Figure 8. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
1.6
1.4
1.2
1
0.8
I D = 6.0 A
V GS = 4.5 V
1.6
1.4
1.2
1
0.8
I D = ? 2.4 A
V GS = ? 4.5 V
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
0.6
? 50
? 25
0 25
50
75
100
125
150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 9. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
T J, JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 10. On ? Resistance Variation with
Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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