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参数资料
| 型号： | NTMD2C02R2SG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH COMPL 20V 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Wire Change 20/Aug/2008 Product Discontinuation 01/Oct/2008 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.2A，3.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 43 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1100pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMD2C02R2
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
10
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
Normalized to q ja at 10s.
0.02
Chip
0.0175 W
0.0710 W
0.2706 W
0.5776 W
0.7086 W
0.01
0.01
SINGLE PULSE
0.0154 F
0.0854 F
0.3074 F
1.7891 F
107.55 F
Ambient
0.001
1.0E?05
1.0E?04
1.0E?03
1.0E?02
1.0E?01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
t, TIME (s)
Figure 24. Thermal Response
di/dt
I S
t rr
t p
t a
t b
0.25 I S
TIME
I S
Figure 25. Diode Reverse Recovery Waveform
http://onsemi.com
9
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