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参数资料
| 型号： | NTP75N06 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.5 毫欧 @ 37.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4510pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 214W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTP75N06OS |
NTP75N06, NTB75N06, NTBV75N06
160
140
120
100
80
60
40
V GS = 10 V
V GS = 6.5 V
V GS = 6 V
V GS = 7 V
V GS = 8 V
V GS = 5.5 V
V GS = 9 V
V GS = 5 V
160
140
120
100
80
60
40
V DS w 10 V
T J = 25 ° C
20
0
0
1
2
V GS = 4.5 V
3
4
20
0
2.5
T J = 100 ° C
3 3.5
4
4.5
T J = ? 55 ° C
5 5.5
6
6.5
7
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.015
0.013
V GS = 10 V
T J = 100 ° C
0.015
0.013
V GS = 15 V
T J = 100 ° C
0.011
0.011
0.009
0.007
0.005
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.009
0.007
0.005
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.003
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0.003
0
20
40
60
80
100
120
140
160
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
I D = 37.5 A
V GS = 10 V
10000
1000
100
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
T J = 100 ° C
0.8
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
10
0
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTP90N02G | MOSFET N-CH 24V 90A TO220AB |
| NTQD6866R2G | MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP |
| NTQD6968N | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP |
| NTQS6463R2 | MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-TSSOP |
| NTR0202PLT1 | MOSFET P-CH 20V 400MA SOT-23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTP75N06/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 75 Amps， 60 Volts |
| NTP75N06D | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET |
| NTP75N06G | 功能描述:MOSFET 60V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTP75N06G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET N |
| NTP75N06G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET |
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