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参数资料
| 型号： | NTP75N06 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.5 毫欧 @ 37.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4510pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 214W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTP75N06OS |
NTP75N06, NTB75N06, NTBV75N06
10000
12
8000
6000
4000
V DS = 0 V
C iss
C rss
V GS = 0 V
C iss
T J = 25 ° C
10
8
6
Q 1
Q 2
Q T
V GS
2000
C oss
C rss
4
2
I D = 75 A
T J = 25 ° C
0
10
5
V GS 0 V DS
5
10
15
20
25
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
1000
80
70
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
t f
t r
60
50
10
t d(off)
40
30
1
1
t d(on)
10
V DS = 30 V
I D = 75 A
V GS = 5 V
100
20
10
0
0.6
0.64 0.68 0.72 0.76 0.8
0.84 0.86 0.92 0.96
1
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variations
vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
10 m s
1000
I D = 75 A
100
T C = 25 ° C
100 m s
800
600
1 ms
400
10
10 ms
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
dc
200
1
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTP90N02G | MOSFET N-CH 24V 90A TO220AB |
| NTQD6866R2G | MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP |
| NTQD6968N | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP |
| NTQS6463R2 | MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-TSSOP |
| NTR0202PLT1 | MOSFET P-CH 20V 400MA SOT-23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTP75N06/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 75 Amps， 60 Volts |
| NTP75N06D | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET |
| NTP75N06G | 功能描述:MOSFET 60V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTP75N06G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET N |
| NTP75N06G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET |
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