参数资料
型号: NTP75N06
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 6/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
产品变化通告: Product Discontinuation 20/Aug/2008
标准包装: 50
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 75A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 9.5 毫欧 @ 37.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4510pF @ 25V
功率 - 最大: 214W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220AB
包装: 管件
其它名称: NTP75N06OS
NTP75N06, NTB75N06, NTBV75N06
PACKAGE DIMENSIONS
TO ? 220
CASE 221A ? 09
ISSUE AG
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
B
F
T
S
C
? T ?
SEATING
PLANE
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
4
DIM
INCHES
MIN MAX
MILLIMETERS
MIN MAX
Q
A
A
B
C
0.570 0.620
0.380 0.405
0.160 0.190
14.48 15.75
9.66 10.28
4.07 4.82
H
Z
1 2 3
K
U
D
F
G
H
J
K
0.025 0.036
0.142 0.161
0.095 0.105
0.110 0.161
0.014 0.025
0.500 0.562
0.64 0.91
3.61 4.09
2.42 2.66
2.80 4.10
0.36 0.64
12.70 14.27
L
0.045 0.060
1.15 1.52
L
V
G
N
D
R
J
N
Q
R
S
T
U
V
Z
0.190 0.210
0.100 0.120
0.080 0.110
0.045 0.055
0.235 0.255
0.000 0.050
0.045 ---
--- 0.080
4.83 5.33
2.54 3.04
2.04 2.79
1.15 1.39
5.97 6.47
0.00 1.27
1.15 ---
--- 2.04
STYLE 5:
http://onsemi.com
6
PIN 1.
2.
3.
4.
GATE
DRAIN
SOURCE
DRAIN
相关PDF资料
PDF描述
NTP90N02G MOSFET N-CH 24V 90A TO220AB
NTQD6866R2G MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP
NTQD6968N MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP
NTQS6463R2 MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-TSSOP
NTR0202PLT1 MOSFET P-CH 20V 400MA SOT-23
相关代理商/技术参数
参数描述
NTP75N06/D 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 75 Amps, 60 Volts
NTP75N06D 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET
NTP75N06G 功能描述:MOSFET 60V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTP75N06G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET N
NTP75N06G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET