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参数资料
| 型号： | SC16C850IET,157 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 32/55页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC UART SINGLE W/FIFO 36-TFBGA |
| 标准包装： | 2,450 |
| 特点： | 可编程 |
| 通道数： | 1，UART |
| FIFO's： | 128 字节 |
| 规程： | RS485 |
| 电源电压： | 2.5 V ~ 3.3 V |
| 带自动流量控制功能： | 是 |
| 带IrDA 编码器/解码器： | 是 |
| 带故障启动位检测功能： | 是 |
| 带调制解调器控制功能： | 是 |
| 带CMOS： | 是 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 36-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 36-TFBGA（3.5x3.5） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 935284685157 SC16C850IET SC16C850IET-ND |
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SC16C850
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NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 2 — 11 November 2010
38 of 55
NXP Semiconductors
SC16C850
2.5 to 3.3 V UART with 128-byte FIFOs and IrDA encoder/decoder
8.
Limiting values
9.
Static characteristics
[1]
Hysteresis input.
[2]
Except XTAL2; XTAL2 VOL is 1 V typical.
[3]
Sleep current might be higher if there is any activity on the UART data bus during Sleep mode.
[4]
Activated by LOWPWR pin.
Table 35.
Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
VDD
supply voltage
-
7
V
Vn
voltage on any other pin
VSS 0.3
VDD +0.3 V
Tamb
ambient temperature
operating in free air
40
+85
°C
Tstg
storage temperature
65
+150
°C
Ptot/pack
total power dissipation per
package
-
500
mW
Table 36.
Static characteristics
Tamb = 40 °C to +85 °C; tolerance of VDD ± 10 %; unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Conditions
VDD =2.5 V
VDD =3.3 V
Unit
Min
Max
Min
Max
VIL(clk)
clock LOW-level input voltage
XTAL1 pin
0.3
0.45
0.3
0.6
V
VIH(clk)
clock HIGH-level input voltage
XTAL1 pin
1.8
VDD
2.4
VDD
V
VIL
LOW-level input voltage
except XTAL1 clock,
LOWPWR pin
0.3
0.65
0.3
0.8
V
LOWPWR pin
0.3
0.65
0.3
0.8
V
VIH
HIGH-level input voltage
except XTAL1 clock,
LOWPWR pin
1.6-2.0-
V
LOWPWR pin
1.6
VDD
2.2
VDD
V
VOL
LOW-level output voltage
IOL =4mA
--
-
0.4
V
IOL =2mA
-0.4
-
V
VOH
HIGH-level output voltage
IOH = 4mA
--
2.2
-
V
IOH = 800 μA
1.85
-
V
ILIL
LOW-level input leakage current
-
10
-
10
μA
ILIH
HIGH-level input leakage current
-
10
-
10
μA
IL(clk)
clock leakage current
LOW-level
-
30
-
30
μA
HIGH-level
-
30
-
30
μA
IDD
supply current
f = 5 MHz
-
3
-
3
mA
IDD(sleep)
sleep mode supply current
-50-
50
μA
IDD(lp)
low-power mode supply current
-50-
50
μA
Ci
input capacitance
-
5
-
5
pF
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SC16C850LIB,151 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
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