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参数资料
| 型号： | SN74V263-10GGM |
| 厂商： | Texas Instruments, Inc. |
| 英文描述： | 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
| 中文描述： | 8192】18，16384】18，32768】18，65536】18的3.3V的CMOS先入先出存储器 |
| 文件页数： | 21/52页 |
| 文件大小： | 762K |
| 代理商： | SN74V263-10GGM |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页当前第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页
SN74V263, SN74V273, SN74V283, SN74V293
8192
×
18, 16384
×
18, 32768
×
18, 65536
×
18
3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SCAS669D
–
JUNE 2001
–
REVISED FEBRUARY 2003
21
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
Table 3. Status Flags for Standard Mode
IW = OW =
×
9
IW
≠
OW OR
IW = OW =
×
18
SN74V263
SN74V273
SN74V283
SN74V293
SN74V263
SN74V273
SN74V283
SN74V293
FF
PAF
HF
PAE
EF
0
0
0
0
0
H
H
H
L
L
1 to n
1 to n
1 to n
1 to n
1 to n
H
H
H
L
H
(n + 1) to 4096
(n + 1) to 8192
(n + 1) to 16384
(n + 1) to 32768
(n + 1) to 65536
H
H
H
H
H
Number of
Words
in FIFO
4097 to
[8192
–
(m + 1)]
8193 to
[16384
–
(m + 1)]
16385 to
[32768
–
(m + 1)]
32769 to
[65536
–
(m + 1)]
65537 to
[131072
–
(m + 1)]
H
H
L
H
H
(8192
–
m) to
8191
(16384
–
m) to
16383
(32768
–
m) to
32767
(65536
–
m) to
65535
(131072
–
m) to
131071
H
L
L
H
H
8192
16384
32768
65536
131072
L
L
L
H
H
NOTE 1: See Table 2 for values for n, m.
Table 4. Status Flags for FWFT Mode
IW = OW =
×
9
IW
≠
OW OR
IW = OW =
×
18
SN74V263
SN74V273
SN74V283
SN74V293
SN74V263
SN74V273
SN74V283
SN74V293
IR
PAF
HF
PAE
OR
0
0
0
0
0
L
H
H
L
H
1 to (n + 1)
1 to (n + 1)
1 to (n + 1)
1 to (n + 1)
1 to (n + 1)
L
H
H
L
L
N mber of
Number of
Words
in FIFO
(n + 2) to 4097
(n + 2) to 8193
(n + 2) to 16385
(n + 2) to 32769
(n + 2) to 65537
L
H
H
H
L
4098 to
[8193
–
(m + 1)]
8194 to
[16385
–
(m + 1)]
16386 to
[32769
–
(m + 1)]
32770 to
[65537
–
(m + 1)]
65538 to
[131073
–
(m + 1)]
L
H
L
H
L
(8193
–
m) to
8192
(16385
–
m) to
16384
(32769
–
m) to
32768
(65537
–
m) to
65536
(131073
–
m) to
131072
L
L
L
H
L
8193
16385
32769
65537
131073
H
L
L
H
L
NOTES:
1. See Table 2 for values for n, m.
2. Number of words in FIFO = FIFO depth + output register
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SN74V263-15GGM | 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SN74V263-10PZA | 功能描述:先进先出 8192 x 18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V263-15GGM | 功能描述:先进先出 8192 x 18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V263-15PZA | 功能描述:先进先出 8192 x 18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V263-6GGM | 功能描述:先进先出 8192 x 18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V263-6PZA | 功能描述:先进先出 8192 x 18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
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