- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录374873 > SN74V263-10GGM (Texas Instruments, Inc.) 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SN74V263-10GGM |
| 厂商： | Texas Instruments, Inc. |
| 英文描述： | 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
| 中文描述： | 8192】18，16384】18，32768】18，65536】18的3.3V的CMOS先入先出存储器 |
| 文件页数： | 48/52页 |
| 文件大小： | 762K |
| 代理商： | SN74V263-10GGM |
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PACKAGING INFORMATION
Orderable Device
Status
(1)
Package
Type
BGA
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Package
Drawing
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Pins Package
Qty
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Eco Plan
(2)
Lead/Ball Finish
MSL Peak Temp
(3)
SN74V263-10GGM
SN74V263-10PZA
SN74V263-15GGM
SN74V263-15PZA
SN74V263-6GGM
SN74V263-6PZA
SN74V263-7GGM
SN74V263-7PZA
SN74V273-10GGM
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SN74V273-15GGM
SN74V273-15PZA
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SN74V273-7GGM
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SN74V283-10PZA
SN74V283-15GGM
SN74V283-15PZA
SN74V283-6GGM
SN74V283-6PZA
SN74V283-7GGM
SN74V283-7PZA
SN74V293-10GGM
SN74V293-10PZA
SN74V293-15GGM
SN74V293-15PZA
SN74V293-6GGM
SN74V293-6PZA
SN74V293-7GGM
SN74V293-7PZA
ACTIVE
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(1)
The marketing status values are defined as follows:
ACTIVE:
Product device recommended for new designs.
LIFEBUY:
TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.
NRND:
Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in
a new design.
PREVIEW:
Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.
OBSOLETE:
TI has discontinued the production of the device.
(2)
Eco Plan - May not be currently available - please check
http://www.ti.com/productcontent
for the latest availability information and additional
product content details.
None:
Not yet available Lead (Pb-Free).
Pb-Free (RoHS):
TI's terms "Lead-Free" or "Pb-Free" mean semiconductor products that are compatible with the current RoHS requirements
for all 6 substances, including the requirement that lead not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered
PACKAGE OPTION ADDENDUM
www.ti.com
4-Mar-2005
Addendum-Page 1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SN74V263-15GGM | 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
| SN74V263-7GGM | 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
| SN74V273-10GGM | 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
| SN74V273-15GGM | 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
| SN74V273-6GGM | 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SN74V263-10PZA | 功能描述:先进先出 8192 x 18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V263-15GGM | 功能描述:先进先出 8192 x 18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V263-15PZA | 功能描述:先进先出 8192 x 18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V263-6GGM | 功能描述:先进先出 8192 x 18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V263-6PZA | 功能描述:先进先出 8192 x 18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
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