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参数资料
型号： SN74V263-10GGM
厂商： Texas Instruments, Inc.
英文描述： 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
中文描述： 8192】18，16384】18，32768】18，65536】18的3.3V的CMOS先入先出存储器
文件页数： 23/52页
文件大小： 762K
代理商： SN74V263-10GGM
SN74V263, SN74V273, SN74V283, SN74V293
8192
×
18, 16384
×
18, 32768
×
18, 65536
×
18
3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SCAS669D
–
JUNE 2001
–
REVISED FEBRUARY 2003
23
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
1st Parallel Offset Write/Read Cycle
D/Q17
Data Inputs/Outputs
D/Q0
EMPTY OFFSET REGISTER
11
10
9
X
X
16
15
14
13
12
8
7
6
5
4
3
2
1
Noninterspersed Parity
Interspersed Parity
16
15
14
13
12
11
10
9
X
8
7
6
5
4
3
2
1
D/Q8
Number of Bits Used
2nd Parallel Offset Write/Read Cycle
D/Q17
Data Inputs/Outputs
D/Q0
FULL OFFSET REGISTER
11
10
9
X
X
16
15
14
13
12
8
7
6
5
4
3
2
1
16
15
14
13
12
11
10
9
X
8
7
6
5
4
3
2
1
D/Q8
SN74V263/SN74V273/SN74V283/SN74V293
×
18 Bus Width
LD
WEN
REN
SEN
WCLK
RCLK
SN74V263, SN74V273, SN74V283, SN74V293
Parallel write to registers:
Empty offset (LSB)
Empty offset (MSB)
Full offset (LSB)
Full offset (MSB)
0
0
1
1
↑
X
0
1
0
1
X
↑
Parallel read from registers:
Empty offset (LSB)
Empty offset (MSB)
Full offset (LSB)
Full offset (MSB)
↑
×
9 TO
×
9 MODE
ALL OTHER MODES
Serial shift into registers:
26 bits for the SN74V263
28 bits for the SN74V273
30 bits for the SN74V283
32 bits for the SN74V293
1 bit for each rising WCLK edge,
starting with empty offset (LSB) and
ending with full offset (MSB)
0
1
1
0
X
Serial shift into registers:
28 bits for the SN74V263
30 bits for the SN74V273
32 bits for the SN74V283
34 bits for the SN74V293
1 bit for each rising WCLK edge,
starting with empty offset (LSB) and
ending with full offset (MSB)
X
1
1
1
1
0
X
1
1
X
0
1
1
X
X
X
X
↑
X
X
X
X
↑
X
No operation
Write memory
Read memory
No operation
NOTES: B. The programming method can be selected only at master reset.
C. Parallel reading of the offset registers is always permitted, regardless of which programming method has been selected.
D. The programming sequence applies to FWFT and standard modes.
Figure 3. Programmable Flag Offset Programming Sequence (Continued)
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PDF描述
SN74V263-15GGM 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SN74V263-7GGM 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SN74V273-10GGM 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SN74V273-15GGM 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SN74V273-6GGM 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
相关代理商/技术参数
参数描述
SN74V263-10PZA 功能描述:先进先出 8192 x 18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装:
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SN74V263-15PZA 功能描述:先进先出 8192 x 18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装:
SN74V263-6GGM 功能描述:先进先出 8192 x 18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装:
SN74V263-6PZA 功能描述:先进先出 8192 x 18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装:
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