参数资料
型号: UPSD3253B-40T6
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 微控制器/微处理器
英文描述: 8-BIT, FLASH, 40 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP52
封装: PLASTIC, TQFP-52
文件页数: 16/189页
文件大小: 1638K
代理商: UPSD3253B-40T6
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Obsolete
Product(s)
- Obsolete
Product(s)
Memory blocks
UPSD3254A, UPSD3254BV, UPSD3253B, UPSD3253BV
112/189
22
Memory blocks
The PSD module has the following memory blocks:
Primary Flash memory
Secondary Flash memory
SRAM
The Memory Select signals for these blocks originate from the Decode PLD (DPLD) and are
user-defined in PSDsoft Express.
22.1
Primary Flash memory and secondary Flash memory
description
The primary Flash memory is divided evenly into eight equal sectors. The secondary Flash
memory is divided into four equal sectors. Each sector of either memory block can be
separately protected from Program and Erase cycles.
Flash memory may be erased on a sector-by-sector basis. Flash sector erasure may be
suspended while data is read from other sectors of the block and then resumed after
reading.
During a Program or Erase cycle in Flash memory, the status can be output on Ready/Busy
(PC3). This pin is set up using PSDsoft Express Configuration.
22.2
Memory block select signals
The DPLD generates the Select signals for all the internal memory blocks (see Section 23:
PLDs). Each of the eight sectors of the primary Flash memory has a Select signal (FS0-
FS7) which can contain up to three product terms. Each of the four sectors of the secondary
Flash memory has a Select signal (CSBOOT0-CSBOOT3) which can contain up to three
product terms. Having three product terms for each Select signal allows a given sector to be
mapped in Program or Data space.
22.2.1
Ready/Busy (PC3)
This signal can be used to output the Ready/Busy status of the Flash memory. The output
on Ready/Busy (PC3) is a '0' (Busy) when Flash memory is being written to, or when Flash
memory is being erased. The output is a '1' (Ready) when no WRITE or Erase cycle is in
progress.
22.2.2
Memory operation
The primary Flash memory and secondary Flash memory are addressed through the MCU
Bus. The MCU can access these memories in one of two ways:
The MCU can execute a typical bus WRITE or READ operation.
The MCU can execute a specific Flash memory instruction that consists of several
WRITE and READ operations. This involves writing specific data patterns to special
addresses within the Flash memory to invoke an embedded algorithm. These
instructions are summarized in Table 85.
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PDF描述
UPSD3334D-40U6 8-BIT, FLASH, 40 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP80
US1001FL 0.5 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
US1A-HE3 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC
US1B-HE3 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC
US1G-HE3 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC
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参数描述
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