参数资料
| 型号： | W25Q80BVSSIG |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 28/75页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH 8MBIT 8SOIC |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | SpiFlash® |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 8M（1M x 8） |
| 速度： | 104MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | Q4816329 T1015683 |
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W25Q80BV
6.2.13
Fast Read Quad Output (6Bh)
The Fast Read Quad Output (6Bh) instruction is similar to the Fast Read Dual Output (3Bh) instruction
except that data is output on four pins, IO 0 , IO 1 , IO 2 , and IO 3 . A Quad enable of Status Register-2 must be
executed before the device will accept the Fast Read Quad Output Instruction (Status Register bit QE
must equal 1). The Fast Read Quad Output Instruction allows data to be transferred from the W25Q80BV
at four times the rate of standard SPI devices.
The Fast Read Quad Output instruction can operate at the highest possible frequency of F R (see AC
Electrical Characteristics). This is accomplished by adding eight “dummy” clocks after the 24 -bit address
as shown in figure 12. The dummy clocks allow the device's internal circuits additional time for setting up
the initial address. The inpu t data during the dummy clocks is “don’t care”. However, the IO pins should
be high-impedance prior to the falling edge of the first data out clock.
/CS
Mode 3
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
28
29
30
31
CLK
Mode 0
Instruction (6Bh)
24-Bit Address
IO 0
23
22
21
3
2
1
0
IO 1
IO 2
IO 3
/CS
* = MSB
High Impedance
High Impedance
High Impedance
*
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
CLK
Dummy Clocks
IO 0 switches from
Input to Output
IO 0
IO 1
IO 2
IO 3
0
High Impedance
High Impedance
High Impedance
4
5
6
7
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
4
5
6
7
Byte 1
Byte 2
Byte 3
Byte 4
Figure 12. Fast Read Quad Output Instruction Sequence Diagram
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PDF描述 |
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