参数资料
| 型号： | W25Q80BVSSIG |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 46/75页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH 8MBIT 8SOIC |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | SpiFlash® |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 8M（1M x 8） |
| 速度： | 104MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | Q4816329 T1015683 |
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W25Q80BV
6.2.28
Erase / Program Resume (7Ah)
The Erase/Program Resume instruction “7Ah” must be written to resume the Sector or Blo ck Erase
operation or the Page Program operation after an Erase/Program Suspend. The Resume instruction
“7Ah” will be accepted by the device only if the SUS bit in the Status Register equals to 1 and the BUSY
bit equals to 0. After issued the SUS bit will be cleared from 1 to 0 immediately, the BUSY bit will be set
from 0 to 1 within 200ns and the Sector or Block will complete the erase operation or the page will
complete the program operation. If the SUS bit equals to 0 or the BUSY bit equals to 1, the Resume
instruction “7Ah” will be ignored by the device. The Erase/Program Resume instruction sequence is
shown in figure 26.
Resume instruction is ignored if the previous Erase/Program Suspend operation was interrupted by
unexpected power off. It is also required that a subsequent Erase/Program Suspend instruction not to be
issued within a minimum of time of “t SUS ” following a previous Resume instruction.
/CS
Mode 3
0
1
2
3
4
5
6
7
Mode 3
CLK
Mode 0
Mode 0
Instruction (7Ah)
DI
(IO 0 )
Resume previously
suspended Program or
Erase
Figure 26. Erase/Program Resume Instruction Sequence
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W25Q80BVSSIG TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:SPIFLASH, 8M-BIT, 4KB UNIFORM 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 8MBIT 104MHZ 8SOIC |
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