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参数资料
| 型号： | ZPSD813F3V-20J |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 1M X 1 FLASH, 27 I/O, PIA-GENERAL PURPOSE, PQCC52 |
| 封装： | PLASTIC, LDCC-52 |
| 文件页数： | 131/132页 |
| 文件大小： | 513K |
| 代理商： | ZPSD813F3V-20J |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页当前第131页第132页
PSD813F Family
Preliminary
94
-90
-12
-15
Symbol
Parameter
Conditions Min Max
Min
Max
Min
Max
Unit
tISCCF
TCK Clock Frequency (except for PLD)
(Note 1)
18
16
14
MHz
tISCCH
TCK Clock High Time
(Note 1)
26
29
31
ns
tISCCL
TCK Clock Low Time
(Note 1)
26
29
31
ns
tISCCF-P
TCK Clock Frequency (for PLD only)
(Note 2)
2
MHz
tISCCH-P
TCK Clock High Time (for PLD only)
(Note 2)
240
ns
tISCCL-P
TCK Clock Low Time (for PLD only)
(Note 2)
240
ns
tISCPSU
ISC Port Set Up Time
8
10
ns
tISCPH
ISC Port Hold Up Time
5
ns
tISCPCO
ISC Port Clock to Output
23
24
25
ns
tISCPZV
ISC Port High-Impedance to
Valid Output
23
24
25
ns
tISCPVZ
ISC Port Valid Output to High-Impedance
23
24
25
ns
ISC Timing (5 V ± 10%)
Microcontroller Interface – PSD813F AC/DC Parameters
(5V ± 10% Versions)
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Unit
Flash Program
8.5
sec
Flash Bulk Erase (Preprogrammed) (Note 1)
3
30
sec
Flash Bulk Erase (Not Preprogrammed)
10
sec
tWHQV3
Sector Erase (Preprogrammed)
1
30
sec
tWHQV2
Sector Erase (Not Preprogrammed)
2.2
sec
tWHQV1
Byte Program
14
1200
s
Program/Erase Cycles (Per Sector)
100,000
cycles
tWHWLO
Sector Erase Time-Out
100
s
Flash Program, Write and Erase Times (5 V ± 10%)
NOTE: 1. Programmed to all zeros before erase.
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Unit
tEEHWL
Write Protect After Power Up
5
msec
tBLC
EEPROM Byte Load Cycle Timing (Note 1)
0.2
120
sec
tWCB
EEPROM Byte Write Cycle Time
4
10
msec
tWCP
EEPROM Page Write Cycle Time (Note 2)
6
30
msec
Program/Erase Cycles (Per Sector)
10,000
cycles
EEPROM Write Times (5 V ± 10%)
NOTES: 1. If the maximum time has elapsed between successive writes to an EEPROM page, the transfer of this data to EEPROM cells will
begin. Also, bytes cannot be written (loaded) to a page any faster than the indicated minimum type.
2. These specifications are for writing a page to EEPROM cells.
NOTES: 1. For “non-PLD” programming, erase or in ISC by-pass mode.
2. For program or erase PLD only.
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