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参数资料
| 型号： | CY7C1248KV18-400BZXC |
| 厂商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 2M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件页数： | 14/28页 |
| 文件大小： | 907K |
| 代理商： | CY7C1248KV18-400BZXC |
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CY7C1246KV18, CY7C1257KV18
CY7C1248KV18, CY7C1250KV18
Document Number: 001-57834 Rev. *B
Page 21 of 28
Maximum Ratings
Exceeding maximum ratings may impair the useful life of the
device. These user guidelines are not tested.
Storage temperature ................................ –65 °C to +150 °C
Ambient temperature with power applied . –55 °C to +125 °C
Supply voltage on VDD relative to GND........–0.5 V to +2.9 V
Supply voltage on VDDQ relative to GND....... –0.5 V to +VDD
DC applied to outputs in high Z .........–0.5 V to VDDQ + 0.3 V
Current into outputs (LOW) ......................................... 20 mA
Static discharge voltage (MIL-STD-883, M 3015).. > 2,001 V
Latch-up current .................................................... > 200 mA
Operating Range
Range
Ambient
Temperature (TA)
VDD [19]
VDDQ [19]
Commercial
0 °C to +70 °C
1.8 ± 0.1 V
1.4 V to
VDD
Industrial
–40 °C to +85 °C
Neutron Soft Error Immunity
Parameter
Description
Test
Conditions
Typ
Max*
Unit
LSBU
Logical
single-bit
upsets
25 °C
197
216
FIT/
Mb
LMBU
Logical
multi-bit
upsets
25 °C
0
0.01
FIT/
Mb
SEL
Single event
latch-up
85 °C
0
0.1
FIT/
Dev
* No LMBU or SEL events occurred during testing; this column
represents a statistical
2, 95% confidence limit calculation. For
more details refer to Application Note AN 54908 “Accelerated
Electrical Characteristics
DC Electrical Characteristics
Over the Operating Range [20]
Parameter
Description
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VDD
Power supply voltage
1.7
1.8
1.9
V
VDDQ
I/O supply voltage
1.4
1.5
VDD
V
VOH
Output HIGH voltage
Note 21
VDDQ/2 – 0.12
–
VDDQ/2 + 0.12
V
VOL
Output LOW voltage
Note 22
VDDQ/2 – 0.12
–
VDDQ/2 + 0.12
V
VOH(LOW)
Output HIGH voltage
IOH 0.1 mA, nominal impedance
VDDQ – 0.2
–
VDDQ
V
VOL(LOW)
Output LOW voltage
IOL = 0.1 mA, nominal impedance
VSS
–
0.2
V
VIH
Input HIGH voltage
VREF + 0.1
–
VDDQ + 0.15
V
VIL
Input LOW voltage
–0.15
–
VREF – 0.1
V
IX
Input leakage current
GND
VI VDDQ
2
–
2
A
IOZ
Output leakage current
GND
VI VDDQ, output disabled
2
–
2
A
VREF
Input reference voltage [23]
Typical value = 0.75 V
0.68
0.75
0.95
V
Notes
18. Overshoot: VIH(AC) < VDDQ + 0.3 V (Pulse width less than tCYC/2), Undershoot: VIL(AC) > 0.3 V (Pulse width less than tCYC/2).
19. Power-up: assumes a linear ramp from 0 V to VDD(min) within 200 ms. During this time VIH < VDD and VDDQ < VDD.
20. All voltage referenced to ground.
21. Outputs are impedance controlled. IOH = –(VDDQ/2)/(RQ/5) for values of 175 < RQ < 350 .
22. Outputs are impedance controlled. IOL = (VDDQ/2)/(RQ/5) for values of 175 < RQ < 350 .
23. VREF(min) = 0.68 V or 0.46 VDDQ, whichever is larger, VREF(max) = 0.95 V or 0.54 VDDQ, whichever is smaller.
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