- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录295374 > CY7C1248KV18-400BZXC (CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP) 2M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | CY7C1248KV18-400BZXC |
| 厂商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 2M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件页数： | 15/28页 |
| 文件大小： | 907K |
| 代理商： | CY7C1248KV18-400BZXC |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页当前第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页
CY7C1246KV18, CY7C1257KV18
CY7C1248KV18, CY7C1250KV18
Document Number: 001-57834 Rev. *B
Page 22 of 28
IDD [24]
VDD operating supply
VDD = Max, IOUT = 0 mA,
f = fMAX = 1/tCYC
450 MHz (× 8)
–
590
mA
(× 9)
–
590
(× 18)
–
600
(× 36)
–
760
400 MHz (× 8)
–
540
mA
(× 9)
–
540
(× 18)
–
550
(× 36)
–
690
375 MHz (× 8)
–
520
mA
(× 9)
–
520
(× 18)
–
530
(× 36)
–
660
333 MHz (× 8)
–
480
mA
(× 9)
–
480
(× 18)
–
490
(× 36)
–
600
ISB1
Automatic power-down
current
Max VDD,
both ports deselected,
VIN VIH or VIN VIL
f = fMAX = 1/tCYC,
inputs static
450 MHz (× 8)
–
330
mA
(× 9)
–
330
(× 18)
–
330
(× 36)
–
330
400 MHz (× 8)
–
310
mA
(× 9)
–
310
(× 18)
–
310
(× 36)
–
310
375 MHz (× 8)
–
300
mA
(× 9)
–
300
(× 18)
–
300
(× 36)
–
300
333 MHz (× 8)
–
280
mA
(× 9)
–
280
(× 18)
–
280
(× 36)
–
280
Electrical Characteristics (continued)
DC Electrical Characteristics
Over the Operating Range [20]
Parameter
Description
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Note
24. The operation current is calculated with 50% read cycle and 50% write cycle.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1371AV25-66AC | 512K X 36 ZBT SRAM, 10 ns, PQFP100 |
| CY7C1387DV25-225BZI | 1M X 18 CACHE SRAM, 2.8 ns, PBGA165 |
| CY7C1387DV25-225BZC | 1M X 18 CACHE SRAM, 2.8 ns, PBGA165 |
| CY7C138AV | Memory |
| CY7C025-15JC | x16 Dual-Port SRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CY7C1248KV18-450BZXC | 功能描述:静态随机存取存储器 36MB (2Mx18) 1.8v 450MHz DDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C12501KV | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C12501KV18-400BZC | 功能描述:静态随机存取存储器 1Mb x 36 400 MHz Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C12501KV18-400BZXC | 功能描述:静态随机存取存储器 1Mb x 36 400 MHz Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C12501KV18-450BZXC | 功能描述:IC SRAM 36MBIT 450MHZ 165-FPBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。