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参数资料
| 型号： | CY7C1248KV18-400BZXC |
| 厂商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 2M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件页数： | 16/28页 |
| 文件大小： | 907K |
| 代理商： | CY7C1248KV18-400BZXC |
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CY7C1246KV18, CY7C1257KV18
CY7C1248KV18, CY7C1250KV18
Document Number: 001-57834 Rev. *B
Page 23 of 28
AC Electrical Characteristics
Over the Operating Range [25]
Parameter
Description
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VIH
Input HIGH voltage
VREF + 0.2
–
VDDQ + 0.24
V
VIL
Input LOW voltage
–0.24
–
VREF – 0.2
V
Capacitance
Tested initially and after any design or process change that may affect these parameters.
Parameter
Description
Test Conditions
Max
Unit
CIN
Input capacitance
TA = 25 C, f = 1 MHz, VDD = 1.8 V, VDDQ = 1.5 V
4
pF
CO
Output capacitance
4pF
Thermal Resistance
Tested initially and after any design or process change that may affect these parameters.
Parameter
Description
Test Conditions
165 FBGA
Package
Unit
JA
Thermal resistance
(junction to ambient)
Test conditions follow standard test methods and procedures for
measuring thermal impedance, in accordance with EIA/JESD51.
13.7
°C/W
JC
Thermal resistance
(junction to case)
3.73
°C/W
Figure 4. AC Test Loads and Waveforms
1.25 V
0.25 V
R = 50
5pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
ALL INPUT PULSES
Device
RL = 50
Z0 = 50
VREF = 0.75 V
0.75 V
Under
Test
0.75 V
Device
Under
Test
OUTPUT
0.75 V
VREF
OUTPUT
ZQ
(a)
Slew Rate = 2 V/ns
RQ =
250
(b)
RQ =
250
Notes
25. Overshoot: VIH(AC) < VDDQ + 0.3 V (Pulse width less than tCYC/2), Undershoot: VIL(AC) > 0.3 V (Pulse width less than tCYC/2).
26. Unless otherwise noted, test conditions assume signal transition time of 2 V/ns, timing reference levels of 0.75 V, VREF = 0.75 V, RQ = 250 , VDDQ = 1.5 V, input pulse
levels of 0.25 V to 1.25 V, and output loading of the specified IOL/IOH and load capacitance shown in (a) of AC Test Loads and Waveforms.
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PDF描述 |
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| CY7C12501KV18-400BZXC | 功能描述:静态随机存取存储器 1Mb x 36 400 MHz Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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