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参数资料
| 型号： | CY7C1248KV18-400BZXC |
| 厂商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 2M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件页数： | 25/28页 |
| 文件大小： | 907K |
| 代理商： | CY7C1248KV18-400BZXC |
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CY7C1246KV18, CY7C1257KV18
CY7C1248KV18, CY7C1250KV18
Document Number: 001-57834 Rev. *B
Page 6 of 28
CY7C1248KV18 (2 M × 18)
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A
CQ
NC/72M
A
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BWS1
K
NC/144M
LD
AA
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NC
DQ9
NC
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NC/288M
K
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ANC
NC
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C
NC
VSS
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NC
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NC
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NC
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NC
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NC
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VDDQ
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NC
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NC
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NC
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NC
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G
NC
DQ13
VDDQ
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VSS
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NC
H
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VSS
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ZQ
J
NC
VDDQ
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VSS
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NC
DQ4
NC
K
NC
DQ14
VDDQ
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VSS
VDD
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NC
DQ3
L
NC
DQ15
NC
VDDQ
VSS
VDDQ
NC
DQ2
M
NC
VSS
NC
DQ1
NC
N
NC
DQ16
VSS
AAA
VSS
NC
P
NC
DQ17
A
QVLD
A
NC
DQ0
R
TDO
TCK
AAA
NC
AAA
TMS
TDI
CY7C1250KV18 (1 M × 36)
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A
CQ
NC/144M
A
R/W
BWS2
K
BWS1
LD
ANC/72M
CQ
B
NC
DQ27
DQ18
A
BWS3
KBWS0
ANC
NC
DQ8
C
NC
DQ28
VSS
ANCA
VSS
NC
DQ17
DQ7
D
NC
DQ29
DQ19
VSS
NC
DQ16
E
NC
DQ20
VDDQ
VSS
VDDQ
NC
DQ15
DQ6
F
NC
DQ30
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DQ22
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H
DOFF
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VDDQ
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VSS
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J
NC
DQ32
VDDQ
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VSS
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NC
DQ13
DQ4
K
NC
DQ23
VDDQ
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VSS
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DQ3
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NC
DQ33
DQ24
VDDQ
VSS
VDDQ
NC
DQ2
M
NC
DQ34
VSS
NC
DQ11
DQ1
N
NC
DQ35
DQ25
VSS
AAA
VSS
NC
DQ10
P
NC
DQ26
A
QVLD
A
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DQ9
DQ0
R
TDO
TCK
AAA
NC
AAA
TMS
TDI
Pin Configuration (continued)
The pin configuration for CY7C1246KV18, CY7C1257KV18, CY7C1248KV18, and CY7C1250KV18 follows.[2]
165-ball FBGA (13 × 15 × 1.4 mm) pinout
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1371AV25-66AC | 512K X 36 ZBT SRAM, 10 ns, PQFP100 |
| CY7C1387DV25-225BZI | 1M X 18 CACHE SRAM, 2.8 ns, PBGA165 |
| CY7C1387DV25-225BZC | 1M X 18 CACHE SRAM, 2.8 ns, PBGA165 |
| CY7C138AV | Memory |
| CY7C025-15JC | x16 Dual-Port SRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CY7C1248KV18-450BZXC | 功能描述:静态随机存取存储器 36MB (2Mx18) 1.8v 450MHz DDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C12501KV | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C12501KV18-400BZC | 功能描述:静态随机存取存储器 1Mb x 36 400 MHz Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C12501KV18-400BZXC | 功能描述:静态随机存取存储器 1Mb x 36 400 MHz Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C12501KV18-450BZXC | 功能描述:IC SRAM 36MBIT 450MHZ 165-FPBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
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