参数资料
型号: CY7C1248KV18-400BZXC
厂商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: SRAM
英文描述: 2M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封装: 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件页数: 7/28页
文件大小: 907K
代理商: CY7C1248KV18-400BZXC
CY7C1246KV18, CY7C1257KV18
CY7C1248KV18, CY7C1250KV18
Document Number: 001-57834 Rev. *B
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TAP Controller State Diagram
The state diagram for the TAP controller follows.[12]
TEST-LOGIC
RESET
TEST-LOGIC/
IDLE
SELECT
DR-SCAN
CAPTURE-DR
SHIFT-DR
EXIT1-DR
PAUSE-DR
EXIT2-DR
UPDATE-DR
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
SELECT
IR-SCAN
CAPTURE-IR
SHIFT-IR
EXIT1-IR
PAUSE-IR
EXIT2-IR
UPDATE-IR
Note
12. The 0/1 next to each state represents the value at TMS at the rising edge of TCK.
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PDF描述
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参数描述
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CY7C12501KV18-400BZXC 功能描述:静态随机存取存储器 1Mb x 36 400 MHz Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
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